[发明专利]晶粒拾取控制方法、应用该方法的晶粒拾取装置及包括该装置的黏晶机

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶粒拾取控制方法及其晶粒拾取装置及黏晶机，特别涉及一种晶粒拾取控制方法及其晶粒拾取装置及黏晶机，其可稳固地拾取自晶片切割出的半导体晶粒。

背景技术

一般而言，半导体装置的后工艺广泛地包含：一晶片检查步骤，用于检查晶片上的半导体芯片的质量；一黏晶步骤，用于将自晶片独立切割出的半导体晶粒(此后称“晶粒”)黏着于引线架或是印刷电路板；一焊线步骤，用于将晶粒的接垫通过引线与导线架或是印刷电路板的图案连接；封胶步骤，用于以封装材料包覆晶粒的内部电路及其它元件，以保护内部电路及其它元件；一剪切步骤，用于剪切使接脚互相连接的提坝杠(dam-bar)；一成形步骤，用于依需求弯曲接脚；以及一测试步骤，用于检查经由上述步骤所产生的半导体装置的质量。

在上述步骤中，黏晶步骤是通过一黏晶机进行。黏晶机将黏着剂涂布于导线架或印刷电路板(此后称“基板”)，并且将晶粒黏附于黏着剂涂布的部分。

传统的黏晶机一般而言包括一加载器、一预烘烤机、一戳印单元、一附着单元、一晶片台及一载出器。

加载器经由一轨道提供一叠置于弹匣内的基板至预烘烤机，以及预烘烤机将基板加热至一适于活化黏着剂的温度，以使晶粒可被附着于基板。

戳印单元自预烘烤机接收加热后的基板并将黏着剂涂布于晶粒将被黏着之处，且附着单元将晶粒附着于黏着剂被完全涂布的基板上，此时，欲被黏着的晶粒从晶片台供应至附着单元，而黏着至基板的晶粒由载出器拾取。

其中，附着单元通过进行一拾取动作以将晶粒与晶片分开，以及一黏着动作以将分开后的晶粒附着于黏着剂涂布的部分。

进一步来说，附着单元的拾取动作所使用的一传统拾取装置包含一拾取单元用于通过一筒夹、一供以黏着胶带固定的半导体晶粒放置的顶出座，以及一设置于顶出座内并提升半导体晶粒的顶出针，以进行半导体晶粒的真空吸附及传送。

然而，由于上述传统的拾取装置简单地以筒夹的向下动作及顶出针的向上动作驱动，当拾取装置的筒夹实际与晶粒接触时，冲击可能会破坏晶粒，或是筒夹吸附的晶粒可被摇动而因与黏着胶带分离而造成未对准。如此，传统的拾取装置牵涉许多不稳定的因素，因而造成近来半导体晶粒的缩小化的配合困难，或是高速生产及处理的可靠性降低。

尤其是，当吸附区域变小以及拾取速度变快时，上述的拾取误差将变大。这是因为吸附区域因半导体晶粒变小而小，拾取速度因产量速度加快而增加的缘故。

发明内容

有鉴于上述问题，本发明提供一晶粒拾取控制方法、一应用该方法的晶粒控制装置，以及一包含该装置的黏晶机，以稳定地拾取从晶片切割出的半导体晶粒。

于本发明的一方面中，一种晶粒拾取方法，用于自附着于一黏着胶带的一晶片分离出一半导体晶粒，所述方法包含：下降一传送单元以使一与传送单元连接的拾取单元的一筒夹的底部自一等待针水平下降至一低速接近水平，且当筒夹抵达低速接近水平时，减少一下降速度；提升一顶出器，以将一与该顶出器连接的顶出针从该等待针水平提升至一第一升针水平直到顶出针与一黏着胶带接触；当传送单元向下移动而使筒夹的底部抵达一芯片接触水平且接触晶粒的顶部时，暂停传送单元及顶出器的垂直移动一接触延迟时间；暂停传送单元的垂直移动一拾取延迟时间，并提升顶出器以将顶出针提升至一第二升针水平以及推起晶粒；暂停顶出器的垂直移动一降针延迟时间，并提升传送单元以提升吸附晶粒的筒夹；以及下降顶出器以下降顶出针。

于提升一顶出器的步骤中，控制一线性移动导件的一冲击吸收力自一高度力水平降低至一中度力水平，线性移动导件与传送单元联合进行垂直移动并转移冲击吸收力至拾取单元，并且，于提升一顶出器的步骤以及暂停传送单元及顶出器的步骤之间，控制线性移动导件的冲击吸收力再从中度力水平降低至一拾取度力水平。

具有高度力水平的冲击吸收力的范围为195克力至205克力(1.911牛顿至2.009牛顿)，具有中度力水平的冲击吸收力的范围为115克力至125克力(1.127牛顿至1.225牛顿)，以及具有拾取度力水平的冲击吸收力的范围为25克力至35克力(0.245牛顿至0.343牛顿)。

于暂停顶出器一降针延迟时间的步骤以及下降顶出器的步骤之间，控制一线性移动导件的一冲击吸收力自一拾取度力水平增加至一中度力水平，线性移动导件与传送单元联合进行垂直移动且转移冲击吸收力至拾取单元，并且，于下降顶出器的步骤中，控制线性移动导件的冲击吸收力再从中度力水平增加至一高度力水平。