[发明专利]一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法，包括TPDC单体薄膜的制备步骤、单体薄膜表面沉积金属纳米粒子的步骤和TPDC开环聚合成金属纳米粒子/ PDPhSM复合薄膜的步骤，其特征在于：所述单体薄膜表面沉积金属纳米粒子的步骤为：采用脉冲激光烧蚀技术将金属纳米粒子沉积在TPDC单体膜上，待沉积的金属作为靶材放置在靶托上，TPDC单体薄膜放置在衬底托上，激光烧蚀前，将反应腔体抽成1.33×10^-4 Pa高真空，在激光烧蚀反应的同时，向反应腔体中引入氦气作为环境气氛，以保持反应腔体中的环境压力恒定，其范围为13.3-2666.4 Pa，激光波长为532 nm，激光能量密度为2.5-5.0 J/cm²，重复频率为10 HZ，脉冲宽度为10 ns，激光束的光斑直径在靶上为3 mm，激光烧蚀沉积时间为5-300 s，靶与衬底之间的距离为15-45 mm。

2.如权利要求1所述的一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述的TPDC单体薄膜的制备步骤为：采用真空蒸镀的方法将TPDC粉末沉积在单晶硅片衬底上制备出厚度为10                                                m的单体膜，真空度控制在4×10^-3Pa。

3.如权利要求2所述的一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述单晶硅片衬底在沉积之前需要进行清洗，步骤如下：将单晶硅片衬底浸泡在CH₂Cl₂中15 min；在NH₃:H₂O₂:H₂O为1:1:5体积比的混合溶液中浸泡20 min，温度保持在70 ℃；用蒸馏水清洗并用N₂干燥。

4.如权利要求1所述的一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述的TPDC开环聚合成金属纳米粒子/ PDPhSM复合薄膜的步骤为：将沉积有金属纳米粒子的单体膜放在电炉中，在280℃保温10 min进行开环热聚合反应。

5.如权利要求1或4所述的一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述的金属纳米粒子为铜、铂、镍、铝、钨、锌、金或银的纳米粒子。