[发明专利]一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法无效
申请号: | 201210395860.0 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN102864418A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 宋仁国;王超;姜彦 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | C23C14/28 | 分类号: | C23C14/28;C23C14/12;C23C14/20 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 213164 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 苯基 甲基 硅烷 复合 薄膜 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机硅聚合物基纳米复合薄膜,特指一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法。
背景技术
有机硅聚合物材料具有良好的热学、机械和光电性能,且无毒无味、形态多样,近30年来国内外材料科学工作者对其进行了广泛的研究,在声、光、电、磁等功能材料方面取得了很多可喜的成果;由于聚二苯基硅亚甲基硅烷(Polydiphenysilylenemethylene,PDPhSM)具有高热稳定性(397℃以上),因而引起了人们的特殊兴趣,研究发现,PDPhSM可以在紫外激光辐照下发出长余辉可见光,这一奇异的光学性能使得PDPhSM在光学器件领域成为一种具有广阔应用前景的材料而倍受重视,然而,由于该类材料在大多数溶剂中不溶解且熔点较高,因此很难用现有的方法(如自旋涂膜法)将其制备成薄膜;F.Rossignol等人发展了一种利用直流溅射在1,1,3,3-四苯基-1,3-二硅环丁烷(1,1,3,3-Tetraphenyl-1,3-disilacyclobutane,TPDC)单体薄膜上沉积金属纳米粒子后,再加热发生开环聚合反应的新技术,成功地制备出了有机硅聚合物PDPhSM基纳米复合薄膜,如图1所示;但是这种技术有很大的局限性:首先用直流溅射能制备的纳米粒子种类很有限,只能制备金、银、铜、铂四种贵金属纳米粒子;其次纳米粒子的浓度很低,且很难控制其分布。
发明内容
为解决金属纳米粒子/聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜现有制备方法中存在的上述不足,本发明提供了一种金属纳米粒子/聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法。
一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法,包括TPDC单体薄膜的制备步骤、单体薄膜表面沉积金属纳米粒子的步骤和TPDC开环聚合成金属纳米粒子/ PDPhSM复合薄膜的步骤,其特征在于:所述单体薄膜表面沉积金属纳米粒子的步骤为:采用脉冲激光烧蚀技术将金属纳米粒子沉积在TPDC单体膜上,待沉积的金属(纯度为99.99%,质量分数)作为靶材放置在靶托上,TPDC单体薄膜放置在衬底托上,激光烧蚀前,将反应腔体抽成1.33×10-4 Pa高真空,在激光烧蚀反应的同时,向反应腔体中引入氦气作为环境气氛,以保持反应腔体中的环境压力恒定,其范围为13.3-2666.4 Pa,采用Quanta-Ray GCR-130型Nd:YAG固体激光器作为光源,激光波长为532 nm,激光能量密度为2.5-5.0 J/cm2,重复频率为10 HZ,脉冲宽度为10 ns,激光束的光斑直径在靶上为3 mm,激光烧蚀沉积时间为5-300 s,靶与衬底之间的距离为15-45 mm。
所述的TPDC单体薄膜的制备步骤为:采用真空蒸镀的方法将TPDC粉末沉积在单晶硅片衬底上制备出厚度为10 m的单体膜,真空度控制在4×10-3Pa。
所述单晶硅片衬底在沉积之前需要进行清洗,步骤如下:将单晶硅片衬底浸泡在CH2Cl2中15 min;在NH3:H2O2:H2O=1:1:5(体积比)的混合溶液中浸泡20 min,温度保持在70 ℃;用蒸馏水清洗并用N2干燥。
所述的TPDC开环聚合成金属纳米粒子/ PDPhSM复合薄膜的步骤为:将沉积有金属纳米粒子的单体膜放在电炉中,在280℃保温10 min进行开环热聚合反应。
所述的金属纳米粒子为铜、铂、镍、铝、钨、锌、金或银的纳米粒子。
上述整个过程如图2所示。
本发明所述的金属纳米粒子/聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜制备方法的有益效果主要体现在:(1)所述TPDC单体膜表面沉积的金属纳米粒子种类繁多,可以为各种金属;(2)所沉积的金属纳米粒子尺寸及形貌可控。
附图说明
图1 TPDC开环聚合反应示意图;
图2 金属纳米粒子/聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜制备过程示意图;
图3 FT-IR谱图;
图4 金属纳米粒子的TEM形貌及其尺寸分布。
具体实施方式
下面结合具体方式对本发明进行进一步描述:
实施例1
原材料:TPDC粉末;单晶硅片;铜(纯度99.99%,质量分数)。
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