[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有第一外延层；

在所述第一外延层内形成标识结构；

以所述标识结构为基准，在所述第一外延层内形成掺杂层；

在所述第一外延层表面形成第二外延层，所述第二外延层内形成有标识结构，且与所述第一外延层内标识结构的位置相对应；

以所述标识结构为基准，在所述第二外延层内形成掺杂层；

其中，所述外延层形成时的工艺温度为900℃-1200℃；和/或，所述外延层形成时的工艺压强为20Torr-40Torr。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述标识结构为凹槽。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述凹槽的横截面形状为规则图形。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述凹槽在垂直于所述半导体基底方向上的深度为2μm。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，以所述标识结构为基准，在所述第二外延层内形成掺杂层包括：

以所述标识结构为基准，在所述第二外延层上放置图案化的第一掩膜版；

以所述第一掩膜版为掩膜，在所述第二外延层上形成图案化的光胶层，使所述标识结构的中心与所述光胶层上和其相对应的图案的中心在一条直线上；

以所述图案化的光胶层为掩膜，在所述第二外延层内形成掺杂层。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述第N外延层表面形成第N+1外延层，所述第N+1外延层内形成有标识结构，且与所述第N外延层内标识结构的位置相对应；

以所述标识结构为基准，在所述第N+1外延层内形成掺杂层；

其中，N不小于2，且所述外延层形成时的工艺温度为900℃-1200℃；和/或，所述外延层形成时的工艺压强为20Torr-40Torr。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体基底，所述半导体基底表面形成有第一外延层；

位于所述第一外延层内的标识结构和掺杂层；

位于所述第一外延层表面的第二外延层，所述第二外延层内具有标识结构，且与所述第一外延层内标识结构的位置相对应；

位于所述第二外延层内的掺杂层；

其中，所述外延层形成时的工艺温度为900℃-1200℃；和/或，所述外延层形成时的工艺压强为20Torr-40Torr。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述标识结构为凹槽。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的横截面形状为规则图形。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽在垂直于所述半导体基底方向上的深度为2μm。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

位于所述第N外延层表面的第N+1外延层，所述第N+1外延层内具有标识结构，且与所述第N外延层内标识结构的位置相对应；

位于所述第N+1外延层内的掺杂层；

其中，N不小于2，且所述外延层形成时的工艺温度为900℃-1200℃；和/或，所述外延层形成时的工艺压强为20Torr-40Torr。