[发明专利]光感测式半导体封装件及其制造方法无效
申请号: | 201210397368.7 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN102881704A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 竺炜棠;锺启生 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光感测式 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种光感测式半导体封装件,包括:
一基板,包括一接地部;
一封装体,包含一上表面及一下表面,该下表面与该基板连结,且具有一容置空间,该容置空间贯穿该封装体,以露出部分的该基板;
一感光芯片,设于从该容置空间露出的该基板上;
一屏蔽膜,形成于该封装体的该上表面上,并电性连接该接地部;以及
一聚光镜片,包括一聚光部及一容置部,该容置部连接于该聚光部且设于该容置空间内,该聚光部位于该容置空间外,其中该聚光部的外径大于该容置部的外径。
2.如权利要求1所述的光感测式半导体封装件,其中该封装体更具有一导通元件,该导通元件形成于该基板与该屏蔽膜之间,并电性连接该屏蔽膜与该基板的该接地部。
3.如权利要求2所述的光感测式半导体封装件,其中该导通元件环绕该感光芯片。
4.如权利要求2所述的光感测式半导体封装件,其中该导通元件包括一导通环及一导电材料,该导电材料形成于该导通环内。
5.如权利要求1所述的光感测式半导体封装件,其中该封装体及该基板各具有一外侧面,该接地部从该基板的该外侧面露出,该屏蔽膜更形成于该封装体的该外侧面及该基板露出的该接地部上。
6.如权利要求1所述的光感测式半导体封装件,其中该感光芯片一红外线感光芯片。
7.如权利要求1所述的光感测式半导体封装件,其中该感光芯片具有一主动面及相对该主动面的一另一表面且包括一电性接点,该电性接点形成于该另一表面上,该主动面接收光线并据以输出信号从该电性接点进入该基板。
8.如权利要求1所述的光感测式半导体封装件,其中该感光芯片与该聚光镜片之间隔着一空间。
9.如权利要求1所述的光感测式半导体封装件,其中该聚光部的外曲面相距该感光芯片的距离介于0.5至1.2毫米之间。
10.一种光感测式半导体封装件的制造方法,包括:
提供一基板;
设置一感光芯片于该基板上,其中该基板包括一接地部;
形成一耐热膜于该感光芯片的一上表面上;
形成一封装体围绕该感光芯片及该耐热膜的外侧面,而形成一容置空间;
形成一屏蔽膜电性连接该接地部,其中该屏蔽膜的一第一部分形成于该封装体的该上表面上,而该屏蔽膜的一第二部分形成于该耐热膜的上表面上;
移除该耐热膜及该屏蔽膜的该第二部分,以露出该感光芯片;以及
设置一聚光镜片,其中该聚光镜片包括一聚光部及一容置部,该容置部连接于该聚光部且设于该容置空间内,该聚光部位于该容置空间外,其中该聚光部的外径大于该容置部的外径。
11.如权利要求10所述的制造方法,其中该基板具有一对位标记,于形成该屏蔽膜电性连接该接地部的该步骤之前,该制造方法更包括:
形成一耐热胶覆盖该基板的该对位标记;
于形成该屏蔽膜电性连接该接地部的该步骤之后,该制造方法更包括:
移除该耐热胶,以露出该对位标记;以及
经由该对位标记,单一化该基板及该封装体。
12.如权利要求10所述的制造方法,更包括:
形成一黏合胶于该聚光镜片的边缘,以固定该聚光镜片于该屏蔽膜上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的