[发明专利]像素单元及主动矩阵式平面显示装置无效
申请号: | 201210397891.X | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN102881249A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 王金杰 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;H01L29/786 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 单元 主动 矩阵 平面 显示装置 | ||
1.一种像素单元,其特征在于,所述像素单元包括:
平行间隔设置的第一扫描线和第二扫描线;
数据线,与所述第一扫描线和所述第二扫描线相交设置;
像素电极,分别与所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述数据线电连接;
薄膜晶体管组,分别与所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述数据线和所述像素电极电连接;
其中,所述薄膜晶体管组包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述薄膜晶体管组的寄生电容Cgd满足以下关系式:
Cgd=C1+C2;
其中,C1为所述第一薄膜晶体管的栅极与漏极的重叠面积所产生的电容,C2为所述第二薄膜晶体管的栅极与漏极的重叠面积所产生的电容,且所述C1和C2的变化趋势相反,变化量相同,使得所述Cgd的值保持不变。
2.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线,所述第一薄膜晶体管的源极连接所述数据线,所述第一薄膜晶体管的漏极和所述像素电极通过第一导通孔电连接;所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述第二扫描线,所述第二薄膜晶体管的源极连接所述数据线,所述第二薄膜晶体管的漏极和所述像素电极通过第二导通孔电连接。
3.根据权利要求2所述的像素单元,其特征在于,所述第一扫描线和所述第二扫描线首尾互相连接,并传输相同的扫描驱动信号。
4.根据权利要求2所述的像素单元,其特征在于,所述第一导通孔和所述第二导通孔分别设置在所述像素电极的对角位置处。
5.根据权利要求2所述的像素单元,其特征在于,所述像素单元包括一中线,所述中线与所述数据线平行并把所述像素单元的面积平分,所述第一导通孔和所述第二导通孔分别设置在所述中线的两侧,并且所述第一导通孔到所述中线的垂直距离等于所述第二导通孔到所述中线的垂直距离。
6.一种主动矩阵式平面显示装置,所述主动矩阵式平面显示装置包括显示区域和非显示区域,所述显示区域设置有多个像素单元,其特征在于,所述像素单元包括:
平行间隔设置的第一扫描线和第二扫描线;
数据线,与所述第一扫描线和所述第二扫描线相交设置;
像素电极,分别与所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述数据线电连接;
薄膜晶体管组,分别与所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述数据线和所述像素电极电连接;
其中,所述薄膜晶体管组包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述薄膜晶体管组的寄生电容Cgd满足以下关系式:
Cgd=C1+C2;
其中,C1为所述第一薄膜晶体管的栅极与漏极的重叠面积所产生的电容,C2为所述第二薄膜晶体管的栅极与漏极的重叠面积所产生的电容,且所述C1和C2的变化趋势相反,变化量相同,使得所述Cgd的值保持不变。
7.根据权利要求6所述的主动矩阵式平面显示装置,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线,所述第一薄膜晶体管的源极连接所述数据线,所述第一薄膜晶体管的漏极和所述像素电极通过第一导通孔电连接;所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述第二扫描线,所述第二薄膜晶体管的源极连接所述数据线,所述第二薄膜晶体管的漏极和所述像素电极通过第二导通孔电连接。
8.根据权利要求7所述的主动矩阵式平面显示装置,其特征在于,所述第一扫描线和所述第二扫描线在非显示区域首尾互相连接,并传输相同的扫描驱动信号。
9.根据权利要求7所述的主动矩阵式平面显示装置,其特征在于,所述第一导通孔和所述第二导通孔分别设置在所述像素电极的对角位置处。
10.根据权利要求7所述的主动矩阵式平面显示装置,其特征在于,所述像素单元包括一中线,所述中线与所述数据线平行并把所述像素单元的面积平分,所述第一导通孔和所述第二导通孔分别设置在所述中线的两侧,并且所述第一导通孔到所述中线的垂直距离等于所述第二导通孔到所述中线的垂直距离。
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