[发明专利]像素单元及主动矩阵式平面显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种像素单元及主动矩阵式平面显示装置。

背景技术

请参阅图1，图1为现有技术的主动矩阵式平面显示装置的结构示意图。如图1所示，主动矩阵式平面显示装置10包括多个像素单元，每个像素单元包括一个薄膜晶体管，例如，像素单元P1包括薄膜晶体管T1，像素单元P2包括薄膜晶体管T2。

在主动矩阵式平面显示装置10的制作过程中，由于曝光机精度原因，容易在不同的曝光位置出现薄膜晶体管的漏极相对于其栅极的覆盖偏移（overlay shift），使得在主动矩阵式平面显示装置10不同位置处的薄膜晶体管具有不同的寄生电容。

以图1中所示的像素单元P1和P2为例，请参阅图2，图2为薄膜晶体T1和薄膜晶体管T2的放大图，如图2所示，薄膜晶体管T1的栅极和漏极的重叠面积所形成的寄生电容为C_gd 1，薄膜晶体管T2的栅极和漏极的重叠面积所形成的寄生电容为C_gd 2，由于薄膜晶体管T1和T2的栅极和漏极的重叠面积（如图中虚线所示的面积）不一致，导致C_gd1≠C_gd 2，因此导致像素单元P1和P2之间的灰度显示不均匀，从而产生不均匀（Mura）、闪烁（Flicker）等显示缺陷。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种像素单元及主动矩阵式平面显示装置，能够维持主动矩阵式平面显示装置中每个像素单元内的薄膜晶体管组的寄生电容不变，从而避免产生显示缺陷。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种像素单元，该像素单元包括：平行间隔设置的第一扫描线和第二扫描线；数据线，与第一扫描线和第二扫描线相交设置；像素电极，分别与第一扫描线、第二扫描线和数据线电连接；薄膜晶体管组，分别与第一扫描线、第二扫描线、数据线和像素电极电连接；其中，薄膜晶体管组包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，薄膜晶体管组的寄生电容C_gd满足以下关系式：C_gd=C1+C2；其中，C1为第一薄膜晶体管的栅极与漏极的重叠面积所产生的电容，C2为第二薄膜晶体管的栅极与漏极的重叠面积所产生的电容，且C1和C2的变化趋势相反，变化量相同，使得C_gd的值保持不变。

其中，第一薄膜晶体管的栅极连接第一扫描线，第一薄膜晶体管的源极连接数据线，第一薄膜晶体管的漏极和像素电极通过第一导通孔电连接；第二薄膜晶体管的栅极连接第二扫描线，第二薄膜晶体管的源极连接数据线，第二薄膜晶体管的漏极和像素电极通过第二导通孔电连接。

其中，第一扫描线和第二扫描线首尾互相连接，并传输相同的扫描驱动信号。

其中，第一导通孔和第二导通孔分别设置在像素电极的对角位置处。

其中，像素单元包括一中线，中线与数据线平行并把像素单元的面积平分，第一导通孔和第二导通孔分别设置在中线的两侧，并且第一导通孔到中线的垂直距离等于第二导通孔到中线的垂直距离。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种主动矩阵式平面显示装置，该主动矩阵式平面显示装置包括显示区域和非显示区域，该显示区域设置有多个像素单元，该像素单元包括：平行间隔设置的第一扫描线和第二扫描线；数据线，与第一扫描线和第二扫描线相交设置；像素电极，分别与第一扫描线、第二扫描线和数据线电连接；薄膜晶体管组，分别与第一扫描线、第二扫描线、数据线和像素电极电连接；其中，薄膜晶体管组包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，薄膜晶体管组的寄生电容C_gd满足以下关系式：C_gd＝C1+C2；其中，C1为第一薄膜晶体管的栅极与漏极的重叠面积所产生的电容，C2为第二薄膜晶体管的栅极与漏极的重叠面积所产生的电容，且C1和C2的变化趋势相反，变化量相同，使得C_gd的值保持不变。

其中，第一薄膜晶体管的栅极连接第一扫描线，第一薄膜晶体管的源极连接数据线，第一薄膜晶体管的漏极和像素电极通过第一导通孔电连接；第二薄膜晶体管的栅极连接第二扫描线，第二薄膜晶体管的源极连接数据线，第二薄膜晶体管的漏极和像素电极通过第二导通孔电连接。

其中，第一扫描线和第二扫描线在非显示区域首尾互相连接，并传输相同的扫描驱动信号。

其中，第一导通孔和第二导通孔分别设置在像素电极的对角位置处。