[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一和第二栅极、源极和漏极，以及位于所述源极和漏极的上方并位于所述栅极之间的第一层间介电层；

步骤S102：在所述半导体衬底上依次形成覆盖所述半导体衬底的蚀刻停止层、第二层间介电层和硬掩膜层；

步骤S103：对所述硬掩膜层进行刻蚀，在所述硬掩膜层上对应要形成第一接触沟槽和第二接触沟槽的位置分别形成开口，其中，所述第一接触沟槽位于所述源极或漏极的上方，所述第二接触沟槽位于所述漏极或源极以及所述栅极的上方；

步骤S104：在所述半导体衬底上形成覆盖所述半导体衬底的第三介电层；

步骤S105：在所述第三介电层上形成接触通孔图案掩膜，对要形成第一接触通孔和第二接触通孔的位置对应的所述第三介电层和所述第二层间介电层进行连续刻蚀，其中，对所述第二层间介电层的刻蚀停止于所述蚀刻停止层的上方，所述第一接触通孔位于所述源极或漏极的上方，所述第二接触通孔位于所述漏极或源极的上方；

步骤S106：去除所述第三介电层；

步骤S107：对所述半导体衬底进行刻蚀，形成所述第一接触通孔、第二接触通孔和第二接触沟槽，其中，所述第一接触通孔暴露出所述源极或漏极，所述第二接触通孔暴露出所述漏极或源极；所述第二接触沟槽直接停止于所述蚀刻停止层的上方；

步骤S108：刻蚀掉所述蚀刻停止层位于所述第二接触沟槽底部的部分；

步骤S109：在所述第一接触沟槽、第一接触通孔和第二接触沟槽、第二接触通孔内填充金属，并通过CMP工艺去除多余的金属。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述第一栅极和第二栅极为金属栅极。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述蚀刻停止层的材料为氮化硅，所述第二层间介电层的材料为二氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S103包括：

步骤S1031：在所述硬掩膜层的上方形成第一图形化的光刻胶，所述第一图形化的光刻胶覆盖所述半导体衬底要形成第一接触沟槽和第二接触沟槽的位置以外的区域；

步骤S1032：以所述第一图形化的光刻胶为掩膜对所述硬掩膜层进行刻蚀，刻蚀掉所述硬掩膜层未被所述第一图形化的光刻胶所覆盖的部分；

步骤S1033：去除所述第一图形化的光刻胶。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，形成的所述第三介电层为流动性介电层。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S105包括：

步骤S1051：在所述第三介电层上形成第二图形化的光刻胶，所述第二图形化的光刻胶覆盖所述半导体衬底要形成所述第一接触通孔和第二接触通孔的位置以外的区域；

步骤S1052：以所述第二图形化的光刻胶为掩膜，先刻蚀所述第三介电层，再刻蚀位于所述第三介电层下方的所述第二层间介电层；

步骤S1053：去除所述第二图形化的光刻胶。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S107包括：

以所述硬掩膜层为掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀，刻蚀掉所述第二层间介电层位于要形成所述第二接触沟槽位置处的部分，形成所述第二接触沟槽；同时刻蚀掉所述蚀刻停止层和所述第一层间介电层位于所述要形成所述第一接触通孔和第二接触通孔位置处的部分，暴露出所述源极和漏极，形成所述第一接触通孔和第二接触通孔。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S108中，所述刻蚀掉所述蚀刻停止层位于所述第二接触沟槽底部的部分，是以所述硬掩膜层为掩膜。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S109中，所填充的金属为铜或钨。

10.如权利要求1至9任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S107和步骤S108之间，还包括：对所述半导体衬底进行金属硅化物工艺处理，在所述源极和漏极上形成金属硅化物的步骤。