[发明专利]一种半导体器件封装结构以及制备方法在审
| 申请号： | 201210399320.X | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779234A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 杨志刚;陈林林;倪百兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 封装 结构 以及 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件封装结构的制备方法，包括：
提供具有顶部金属层和顶部通孔的金属叠层；
在所述金属叠层上沉积第一钝化层，以覆盖所述顶部金属层；
图案化所述第一钝化层，形成开口以露出所述顶部金属层；
依次沉积第一金属阻挡层、第一焊盘金属层、第二金属阻挡层、第二焊盘金属层，以形成焊盘金属叠层，其中，所述焊盘金属叠层通过所述开口与所述顶部金属层连接；
图案化所述焊盘金属叠层，以露出所述第一钝化层；
沉积第二钝化层，然后图案化所述第二钝化层，以露出所述焊盘金属叠层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在沉积所述第二钝化层之前，还包括进一步形成多层由所述金属阻挡层、焊盘金属层交替沉积形成的复合层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属阻挡层为TaN、TiN和TaN中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属阻挡层为TaN、TiN和TaN中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属阻挡层和所述第二金属阻挡层的沉积方法为PVD。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一焊盘金属层为Al。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二焊盘金属层为Al。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述第一金属阻挡层和所述第二金属阻挡层的硬度大于所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层的沉积方法为PVD。
10.一种半导体器件封装结构，包括：
金属叠层，至少包括顶部金属层和位于所述顶部金属层下方的顶部通孔；
位于所述顶部金属层上具有第一开口的第一钝化层；
位于所述第一钝化层上的焊盘金属叠层，所述焊盘金属叠层至少包括依次层叠的第一金属阻挡层、第一焊盘金属层、第二金属阻挡层和第二焊盘金属层，所述焊盘金属叠层通过所述第一开口与所述顶部金属层相连；
位于所述第一钝化层和焊盘金属叠层上的第二钝化层，所述第二钝化层具有第二开口，以露出所述焊盘金属叠层。
11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属阻挡层和所述第二金属阻挡层为TaN、TiN和TaN中的一种或多种。
12.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层为Al。
13.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层为PESIN、PETEOS、SiN和TEOS中的一种或多种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210399320.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种柠檬纳米胶原蛋白美白面膜
- 下一篇：轴瓦油槽加工机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
