[发明专利]RAM存储装置

权利要求书

1.一种RAM存储装置，包含对含有写入或读出的第一控制信号及第一信息数据的第一访问进行中继的第一接口、对含有写入或读出的第二控制信号及第二信息数据的第二访问进行中继的第二接口、以及响应所述第一接口及所述第二接口，和时钟信号同步进行所述第一信息数据及所述第二信息数据的写入或读出的RAM，其特征在于，包含：

存储部，执行存储动作，该存储动作是在以所述时钟信号决定的第一周期中响应来自所述第一接口的待机指令信号，将到达所述第二接口中的所述第二访问进行存储，以及

选择部，执行选择供给动作，该选择供给动作是：响应所述第一控制信号，在所述第一周期随后的以所述时钟信号决定的第二周期内将到达所述第一接口中的所述第一访问向所述RAM供给；响应所述第二控制信号，在将到达所述第一接口中的所述第一访问向所述RAM供给的所述第二周期随后的以所述时钟信号决定的第三周期之后，将所述存储部存储的所述第二访问向所述RAM供给。

2.如权利要求1所述的RAM存储装置，其特征在于：

所述第一控制信号及所述第二控制信号各自包含选择指令信号和所述待机指令信号，

所述选择部响应所述选择指令信号而执行所述选择供给动作，所述存储部响应所述待机指令信号而执行所述存储动作。

3.如权利要求1或2所述的RAM存储装置，其特征在于：

所述RAM为单端口RAM。

4.如权利要求1或2所述的RAM存储装置，其特征在于：

所述第一信息数据及所述第二信息数据各自包含闪速存储器的页面地址以及和所述闪速存储器的存储数据相关的错误信息。

5.如权利要求1或2所述的RAM存储装置，其特征在于：

被包含于控制半导体存储装置的存储器控制装置，

所述第一访问及第二访问，和所述半导体存储装置的控制关联而从所述存储器控制装置供给。