[发明专利]调压电路无效
| 申请号： | 201210401116.7 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103780089A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 焦东杰 | 申请（专利权）人： | 郑州单点科技软件有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/156 | 分类号： | H02M3/156 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450016 河南省郑州市经*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调压 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种调压电路，其特征在于，包括四只电阻（R1～R4）、一只可调电阻（RW1）、一只NMOS晶体管（Q1）、一只差分放大器（IC1）、两只稳压管（W1，W2）和两只电容（C1，C2）；
差分放大器（IC1）的负极输入端通过可调电阻（RW1）接地（GND）并通过第一电阻（R1）连接至电压源（VDD），正极输入端通过第二电阻（R2）连接至电压源（VDD）、通过第二电容（R2）接地（GND）、连接至第二稳压管（W2）的阴极，正极电源输入端通过第三电阻（R3）连接至电压源（VDD）、通过第一电容（C1）接地（GND）、连接至第一稳压管（W1）的阴极，负极电源输入端接地（GND），输出端通过第四电阻（R4）连接至NMOS晶体管（Q1）的栅极；所述第一稳压管（W1）的阳极、第二稳压管（W2）的阳极和NMOS晶体管（Q1）的源极均接地（GND）；所述NMOS晶体管（Q1）的漏极作为该调压电路的输出端（Vout）的负极。
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