[发明专利]调压电路无效
申请号: | 201210401116.7 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN103780089A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 焦东杰 | 申请(专利权)人: | 郑州单点科技软件有限公司 |
主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 450016 河南省郑州市经*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调压 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种调压电路。
背景技术
调压是电路中经常用到的电路模块,用于调整电路功能电压。现有电路中一般采用晶闸管作为调压的件,但是晶闸管的面积较大,发热较大,消耗的功率也较大,根本不适用于集成电路,一般是在芯片外接调压电路。
发明内容
本发明的发明目的在于:针对上述存在的问题,提供一种MOS结构的调压电路。
本发明采用的技术方案是这样的:本发明的一种调压电路,该电路包括四只电阻、一只可调电阻、一只NMOS晶体管、一只差分放大器、两只稳压管和两只电容。
差分放大器的负极输入端通过可调电阻接地并通过第一电阻连接至电压源,正极输入端通过第二电阻连接至电压源、通过第二电容接地、连接至第二稳压管的阴极,正极电源输入端通过第三电阻连接至电压源、通过第一电容接地、连接至第一稳压管的阴极,负极电源输入端接地,输出端通过第四电阻连接至NMOS晶体管的栅极;所述第一稳压管的阳极、第二稳压管的阳极和NMOS晶体管的源极均接地;所述NMOS晶体管的漏极作为该调压电路的输出端的负极。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:该电路体较小、功耗小、速度高、适用于集成,且电路结构简单。
附图说明
图1是本发明调压电路的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明作详细的说明。
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
如图1所示,是本发明调压电路的电路原理图。
本发明的一种调压电路,该电路包括四只电阻R1~R4、一只可调电阻RW1、一只NMOS晶体管Q1、一只差分放大器IC1、两只稳压管W1和W2以及两只电容C1和C2。
下面结合图1对本发明上述各电子元器件间的连接关系做详细说明: 差分放大器IC1的负极输入端通过可调电阻RW1接地GND并通过第一电阻R1连接至电压源VDD,正极输入端通过第二电阻R2连接至电压源VDD、通过第二电容R2接地GND、连接至第二稳压管W2的阴极,正极电源输入端通过第三电阻R3连接至电压源VDD、通过第一电容C1接地GND、连接至第一稳压管W1的阴极,负极电源输入端接地GND,输出端通过第四电阻R4连接至NMOS晶体管Q1的栅极;所述第一稳压管W1的阳极、第二稳压管W2的阳极和NMOS晶体管Q1的源极均接地GND;所述NMOS晶体管Q1的漏极作为该调压电路的输出端Vout的负极。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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