[发明专利]超结半导体器件

权利要求书

1.一种超结半导体器件，包括：

平行pn层，其中在具有维持截止态电压的主结的第一导电率半导体衬底的一个和另两个主表面之间的第一导电型漂移层具有由以交替接触方式设置的多个第一导电型漂移区和第二导电型分隔区形成的两个区，且p-n结与所述两个区中的所述主表面垂直地并列，其中

所述两个区各自的宽度使得当截止态电压被施加至所述主结时从所述两个区之间的所述pn结扩展到所述两个区中的耗尽层可耗尽所述漂移区，且所述两个区具有这样的结构：其中在围绕元件有源部分的环状元件周边部分中的第二平行pn层的重复节距间隔小于在所述元件有源部分中的第一平行pn层的重复节距间隔，主电流通过所述元件有源部分流动，

所述环状元件周边部分包括覆盖所述第二平行pn层的所述表面的第一导电型表面层区，其杂质浓度低于所述漂移层的浓度，以及

所述环状元件周边部分中的外周部分的第二导电型分隔区的深度小于内周部分的第二导电型分隔区的深度。

2.如权利要求1所述的超结半导体器件，其特征在于，

所述环状元件周边部分中的外周部分的所述第二导电型分隔区的深度是所述内周部分的所述第二导电型分隔区的深度的五分之二或更小。

3.如权利要求1或2所述的超结半导体器件，其特征在于，包括：

两个或更多个第二导电型保护环区，所述第二导电型保护环区彼此间隔开地设置从而围绕所述元件周边部分的所述低浓度第一导电型表面层区的所述表面层中的所述第一平行pn层的外周，且包括：

第二导电型分隔区，相比所述第二导电型保护环区更靠近所述外周侧，其深度相比在内周侧上的深度更小。

4.如权利要求3所述的超结半导体器件，其特征在于，包括：

置于所述第二导电型保护环区的所述表面的内周侧和外周侧上、与所述第二导电型保护环区导电连接的导电场板。

5.如权利要求1至2的任一项所述的超结半导体器件，其特征在于，

所述元件有源部分和所述元件周边部分中的平行pn层的所述平面图案是条状或栅格形状的组合。