[发明专利]溅镀靶材及可写录光记录媒体无效
申请号: | 201210404411.8 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN103774100A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 张汉丰;郭玉如;洪永辉;张夙萱 | 申请(专利权)人: | 中环股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C22C9/10;G11B7/245 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 吴甘棠 |
地址: | 中国台湾台北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅镀靶材 可写录光 记录 媒体 | ||
1.一种用于制备可写录光记录媒体记录层的溅镀靶材,其特征在于,包含有铜Cu、硅Si以及铬Cr,且所述靶材是结晶质。
2.如权利要求1所述的一种用于制备可写录光记录媒体记录层的溅镀靶材,其特征在于,分别为铜Cu及硅Si及铬Cr各元素压制成单一靶材。
3.如权利要求1所述的一种用于制备可录式光记录媒体记录层的溅镀靶材,其特征在于,分别为铜Cu及硅Si合金与铬Cr元素压制成单一靶材。
4.如权利要求1所述的一种用于制备可录式光记录媒体记录层的溅镀靶材,其特征在于,分别为铜Cu与硅Si及铬Cr合金压制成单一靶材。
5.如权利要求1所述的一种用于制备可录式光记录媒体记录层的溅镀靶材,其特征在于,分别为硅Si与铜Cu及铬Cr合金压制成单一靶材。
6.一种可写录光记录媒体,其特征在于,包含一基板,基板上的膜层包含反射层、第一缓冲层、记录层、第二缓冲层、补偿层及光穿透层;所述反射层在所述基板上;所述第一缓冲层以及所述第二缓冲层在所述反射层及所述记录层上;所述记录层在所述第一缓冲层及所述第二缓冲层之间;所述补偿层在所述第二缓冲层之上;所述光穿透层为所述光记录媒体制程上最后制作的膜层。
7.如权利要求6所述的一种可写录光记录媒体,其特征在于,所述纪录层至少包含有铜Cu、硅Si以及铬Cr作为主要组份。
8.如权利要求7所述的一种可写录光记录媒体,其特征在于,所述铜Cu元素的重量百分比为55%~80%、所述硅Si元素的重量百分比为15%~40%,以及所述铬Cr元素的重量百分比为1%~10%。
9.如权利要求7所述的一种可写录光记录媒体,其特征在于,所述纪录层的厚度为3纳米到50纳米之间。
10.如权利要求6所述的一种可写录光记录媒体,其特征在于,所述基板选用具光学透明的材料,并能提供该记录媒体适当的机械强度,材质包括聚碳酸脂树脂polycarbonate resin、聚甲基丙烯酸甲脂polymethyl methacrylate、聚苯乙烯树脂polystyrene resin、聚乙烯树脂polyethylene resin、聚丙烯树脂polypropylene resin,所述基板上预先刻有凹槽groove以及平地land,当数据被记录或读取时,所述凹槽以及所述平地作为激光束导轨与数据记录的位置。
11.如权利要求6所述的一种可写录光记录媒体,其特征在于,所述反射层包含金Au、银Ag、钼Mo、铝Al、钛Ti、钽Ta、钕Nd以及铋Bi的元素与上述元素为主成分的合金。
12.如权利要求6所述的一种可写录光记录媒体,其特征在于,所述第一缓冲层以及所述第二缓冲层的材料为硫化锌-二氧化硅ZnS-SiO2、氮化硅SiN、氮化锗GeN以及碳化硅SiC中的一个或两种以上材料层叠加而成,厚度为1纳米到300纳米之间。
13.如权利要求6所述的一种可写录光记录媒体,其特征在于,所述补偿层包含氮氧化硅SiON、硫化锌-二氧化硅ZnS-SiO2、氮化硅SiN、氮化锗GeN以及碳化硅SiC中的其中一种或两种以上材料层叠加而成的补偿层。
14.如权利要求6所述的一种可写录光记录媒体,其特征在于,所述光穿透层为光硬化树脂。
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