[发明专利]半导体器件及方法

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

半导体芯片，所述半导体芯片包括路由线；

绝缘层，设置在所述半导体芯片上方；

焊料沉积物，设置在所述绝缘层上方；以及

通孔，延伸穿过所述绝缘层的开口以使所述路由线与所述焊料沉积物电连接，其中所述通孔的面向所述路由线的前缘线部分基本上为直线、具有凹曲率或大于所述通孔的最大横向尺寸的直径的凸曲率。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述通孔的前缘线部分具有在所述前缘线的两个弯曲部之间测得的长度，所述长度大于100μm。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述通孔穿过所述绝缘层上表面的截面的形状为矩形、三角形、椭圆形或半圆形中的一种。

4.根据权利要求1所述的电子器件，进一步包括设置在所述绝缘层上方的导电层，所述导电层形成所述焊料沉积物用电接触垫。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其中，所述导电层的厚度小于10μm。

6.根据权利要求4所述的电子器件，其中，所述导电层填充所述绝缘层的开口以形成所述通孔。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述绝缘层包括硬钝化层和/或聚合物层。

8.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述通孔的前缘线部分具有大于所述路由线的最大横向尺寸的直径的凸曲率或大于所述焊料沉积物的最大横向尺寸的直径的凸曲率。

9.一种电子器件，包括：

半导体芯片，所述半导体芯片包括路由线；

绝缘层，设置在所述半导体芯片上方；

焊料沉积物，设置在所述绝缘层上方；以及

多个通孔，延伸穿过所述绝缘层的多个开口以使所述路由线与所述焊料沉积物电连接，其中所述多个通孔按一定图案排列，所述图案的轮廓限定前缘图案线部分，该前缘图案线部分定向为基本上垂直于所述路由线的纵向方向。

10.根据权利要求9所述的电子器件，其中所述图案的轮廓的前缘图案线部分为凹形或直线形。

11.一种电子器件，包括：

半导体芯片，所述半导体芯片包括路由线；

绝缘层，设置在所述半导体芯片上方；

焊料沉积物，设置在所述绝缘层上方；以及

通孔，延伸穿过所述绝缘层的开口以使所述路由线与所述焊料沉积物电连接，其中所述路由线在接近所述通孔时具有横向尺寸增加的接触段。

12.根据权利要求11所述的电子器件，其中，所述路由线和所述通孔之间的接口区域具有在所述路由线的横向方向上的最大延伸，所述最大延伸在所述接触段开始之前大于所述路由线的横向尺寸。

13.根据权利要求12所述的电子器件，其中，所述绝缘层覆盖所述路由线的接触段的至少一部分。

14.根据权利要求11所述的电子器件，其中，所述焊料沉积物的轮廓包围所述路由线的接触段。

15.一种电子器件的制造方法，所述方法包括：

设置半导体芯片，所述半导体芯片包括路由线；

在所述半导体芯片上方形成绝缘层，所述绝缘层具有开口；

形成通孔，该通孔延伸穿过所述绝缘层的开口以与所述路由线电连接，其中所述通孔的面向所述路由线的前缘线部分基本上为直线、具有凹曲率或大于所述通孔的最大横向尺寸的直径的凸曲率；以及

在所述绝缘层上方放置焊料沉积物以与所述通孔电连接。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：

在所述绝缘层上方形成导电层，所述导电层填充所述开口以形成所述通孔并形成所述焊料沉积物用电接触垫。

17.一种电子器件，包括：

具有第一表面的结构；

设置在所述第一表面上的电接触垫；以及

导电带，在所述第一表面上延伸并与所述电接触垫电连接，其中所述导电带具有将所述导电带划分为至少两个导电带支路的分支部，其中所述至少两个导电带支路在不同位置连接所述电接触垫。

18.根据权利要求17所述的电子器件，其中，所述电接触垫为焊料沉积物接合垫。