[发明专利]一种硅原料的清洗方法有效

专利信息
申请号: 201210405111.1 申请日: 2012-10-23
公开(公告)号: CN103769383A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 张凌松 申请(专利权)人: 宿迁宇龙光电科技有限公司
主分类号: B08B3/12 分类号: B08B3/12;B08B3/08
代理公司: 淮安市科文知识产权事务所 32223 代理人: 谢观素
地址: 223700 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 原料 清洗 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及光电领域,具体涉及一种硅原料的清洗方法。

背景技术

光电领域中,硅是非常重要和常用的半导体原料,是太阳能电池最理想的原材料。制备硅片的原料表面一般都会有杂质和一些氧化物,必须要经过清洗后才能进入后续工序使用。但是目前生产操作中,由于很多硅料的清洗设备采用酸洗、碱洗、水冲洗和超声清洗为一体的封闭式操作,所以无法实施监控,必须要等硅原料清洗程序结束后,才能观察到硅料的清洗情况。清洗后的硅原料中有些未能清洗干净,就必须再次进行一系列的清洗;有些表面无附着物的硅原料,原本只需进行冲洗和超声清洗,但仍然要经过上述的酸洗、碱洗、水洗和超声清洗等过程,可见,现有技术不仅生产效率低,而且浪费了资源、能源,增加了企业的生产成本。

发明内容

本发明的目的在于:克服现有技术的不足,提供一种能够灵活清洗硅原料的方法,使得硅原料在清洗过程中,可以进行实时监控,还可根据需要进行不同的清洗。

本发明所采取的技术方案是:

一种硅原料的清洗方法,其特征在于包括以下步骤:

1)将硅原料放入清水池内预冲洗,并在冲洗后对硅原料的表面进行检测;

2)根据检测:将表面无附着物的硅原料送入超声设备中清洗,将表面有少许杂质的硅原料放入酸液池酸洗,将表面杂质较多的硅原料放入浓酸液池内浸泡1-3小时; 

3)将经过酸液洗或酸液浸泡的硅原料放入清水池中进行冲洗,冲洗后对硅原料表面进行观察;

4)根据观察:将表面没有残留污垢的硅原料进行超声清洗,将表面仍有残留污垢的硅原料放入碱液池内进行碱洗;

5)将经过碱洗的硅原料放入清水池中进行冲洗,之后再将硅原料送入超声设备中清洗。

本发明进一步改进方案是,清洗和浓酸液浸泡池依次排序为:碱液池、清水池、浓酸液池、酸液池、超声设备。

本发明的有益效果在于:

用本发明进行硅原料的清洗时,实时监控硅原料的清洗状况,并且根据硅原料的表面状况的不同,进行不同的清洗流程。从上述工作过程可知,用本发明进行硅原料的清洗,既能够进行实时监控,又能保证硅原料的清洗质量,还能减少硅原料的损耗,节省成本、提高效率。

附图说明:                               

图1为本发明的流程示意图。

具体实施方式:

如图1所示,本发明包括以下步骤:先将硅原料放入清水池内预冲洗,并在冲洗后对硅原料的表面进行检测;根据检测:将表面无附着物的硅原料送入超声设备中清洗,将表面有少许杂质的硅原料放入酸液池酸洗,将表面杂质较多的硅原料放入浓酸液池内浸泡1-3小时;将经过酸液洗或酸液浸泡的硅原料放入清水池中进行冲洗,冲洗后对硅原料表面进行观察;根据观察:将表面没有残留污垢的硅原料进行超声清洗,将表面仍有残留污垢的硅原料放入碱液池内进行碱洗;将经过碱洗的硅原料放入清水池中进行冲洗,之后再将硅原料送入超声设备中清洗。

本发明中清洗和浓酸液浸泡池依次排序为:碱液池、清水池、浓酸液池、酸液池、超声设备。

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