[发明专利]具有位于互连上的单元图案的半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底中限定有单元区、核心区以及外围区并形成有底结构；

导线，所述导线形成在所述半导体衬底的整个结构上；

存储器单元图案，所述存储器单元图案形成在所述单元区中的导线上；以及

虚设导电图案，所述虚设导电图案形成在所述核心区和所述外围区中的导线中的任何一个上。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述单元图案包括与所述单元区中的导线电连接的存取元件，以及

所述虚设导电图案具有与所述存取元件相同的结构。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述单元图案具有层叠结构，且所述单元图案的底结构具有与所述虚设导电图案相同的结构。

4.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在限定有单元区、核心区以及外围区的半导体衬底的整个结构上形成导线；以及

在所述单元区中的导线上形成单元图案，并且在所述核心区或所述外围区中的导线上形成虚设导电图案。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述单元图案包括与所述单元区中的导线电连接的存取元件，以及

所述虚设导电图案与所述存取元件同时形成。

6.一种半导体存储器件，包括：

字线，所述字线在单元区中；以及

虚设图案，所述虚设图案在核心区或外围区中，

其中，所述字线和所述虚设图案具有相同的结构，并距半导体衬底的平面具有相同的高度。

7.如权利要求6所述的半导体存储器件，还包括存储器单元图案，所述存储器单元图案位于所述单元区中的所述字线上。