[发明专利]太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法

权利要求书

1.太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法，其特征在于步骤如下：

步骤一，清洗干燥：将称好的高纯锗放在清洗机热水槽内，升温至40℃～65℃，然后将其依次放入热水酸泡槽、超声溢流槽，清洗至无残酸，取出放入不锈钢盘中，将洗好的锗放入干燥箱中，设定加热温度为100℃～120℃，恒温2～3小时，冷却后取出；

步骤二，装料：将清洗干燥后的高纯锗装入单晶炉内的坩埚中，然后将掺杂剂放在高纯锗间；

步骤三，抽真空：启动控制系统开始抽真空，待漏率检验合格，设置氩气流量为5～60sltm/min；

步骤四，加热：打开加热器，升温化料；

步骤五，初步混合：当坩埚内的原料全部融化后控制坩埚转速为3～10转/分钟，以0.2～0.8转/分钟的速度提高转速，20~60分钟后，以0.5～2转/分钟的速度降低转速，如此反复3次及以上即达到掺杂元素在锗中的初步混合；

步骤六，降温：降低炉温至939～948℃；

步骤七，均匀混合：将籽晶放下接触锗熔体，将籽晶转速控制在5～20转/分钟，旋转方向与坩埚旋转方向相反，控制坩埚转速3～10转/分钟，以0.2～0.8转/分钟的速度提高转速，20～60分钟后，以0.5～2转/分钟的速度降低转速，如此反复3次及以上即达到掺杂元素在锗中的均匀混合。

2.按照权利要求1所述的太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法，其特征在于掺杂剂可以是Ga、In、As、Sb的一种或几种。

3.按照权利要求1所述的太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法，其特征在于根据掺杂剂与电阻率的关系，确定掺杂剂与区熔锗的比例为1:3000。