[发明专利]一种上下堆叠的片上系统芯片的制作方法

权利要求书

1.一种上下堆叠的片上系统芯片的制作方法，其特征在于，包括：

步骤一：将面积能随制造工艺尺寸缩小而减小的电路单元实现在第一芯片(1)上，与设置在所述第一芯片(1)上的第一片上系统微控制器标准系统总线(16)连接；

步骤二：将面积不能随制造工艺尺寸缩小而减小的电路单元实现在第二芯片(2)上，与设置在所述第二芯片(2)上的第二片上系统微控制器标准系统总线(27)连接；

步骤三：通过将所述第一芯片(1)的第一片上系统微控制器标准系统总线(16)与第二芯片(2)的第二片上系统微控制器标准系统总线(27)作为互连管脚进行上下连接，得到片上系统芯片。

2.如权利要求1所述上下堆叠的片上系统芯片的制作方法，其特征在于，所述面积能随制造工艺尺寸缩小而减小的电路单元包括：静态数据存储器(11)、嵌入式非易失性存储器(12)、中央处理器(13)、图形处理器(14)、不与所述片上系统芯片对外输入输出管脚连接的数字外设模块(15)。

3.如权利要求1所述上下堆叠的片上系统芯片的制作方法，其特征在于，所述面积不能随制造工艺尺寸缩小而减小的电路单元包括：模拟外设(21)、电源管理模块(22)、片上时钟模块(23)、片上系统芯片对外输入输出管脚(24)、与所述片上系统芯片对外输入输出管脚(24)连接的数字外设模块(25)、中断管理模块(26)。

4.如权利要求1所述上下堆叠的片上系统芯片的制作方法，其特征在于，所述第一片上系统微控制器标准系统总线(16)与第二片上系统微控制器标准系统总线(27)是基于不同微控制器内核的微控制器标准系统总线，包括基于ARM内核的AMBA微控制器标准系统总线、基于8051内核的微控制器标准系统总线、基于MIPS内核的OCP微控制器标准系统总线。

5.如权利要求1所述上下堆叠的片上系统芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤三中，所述互连管脚采用引线接合互连线或硅通孔连接互连线进行上下连接。

6.如权利要求1所述上下堆叠的片上系统芯片的制作方法，其特征在于，进一步包括：所述片上系统芯片由三个或三个以上的芯片上下堆叠连接；所述三个或三个以上的芯片通过片上系统微控制器标准系统总线作为互连管脚上下连接。