[发明专利]一种基板及其切裂方法有效
| 申请号： | 201210410350.6 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN102910809A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈信华 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C03B33/02 | 分类号： | C03B33/02;G02F1/1333;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 及其 方法 | ||
1.一种基板的切裂方法，所述基板包括第一基板和第二基板，所述第一基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，第二基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其特征在于，所述切裂方法包括：
分别在所述第一基板的第一表面和所述第二基板的第一表面形成蚀刻槽；
将所述第一基板的第一表面和所述第二基板的第一表面沿所述蚀刻槽对齐贴合；
在所述第一基板的第二表面和所述第二基板的第二表面分别用刀轮沿切割线切割所述第一基板和所述第二基板，使得所述切割形成的垂直裂纹延伸至所述蚀刻槽，进而断开所述第一基板和所述第二基板。
2.根据权利要求1所述的切裂方法，其特征在于，所述蚀刻槽为三角形槽。
3.根据权利要求2所述的切裂方法，其特征在于，所述蚀刻槽由激光蚀刻形成。
4.根据权利要求1所述的切裂方法，其特征在于，所述切割线位于所述蚀刻槽的宽度内。
5.根据权利要求4所述的切裂方法，其特征在于，所述第一基板的第二表面的切割线和所述第二基板的第二表面的切割线位于同一垂直平面。
6.根据权利要求1所述的切裂方法，其特征在于，所述刀轮为高渗透刀轮。
7.根据权利要求1所述的切裂方法，其特征在于，所述第一基板为薄膜晶体管阵列基板。
8.根据权利要求7所述的切裂方法，其特征在于，所述第二基板为彩色滤光片基板。
9.一种基板，其特征在于，所述基板包括第一基板和第二基板，所述第一基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第二基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
其中，在所述第一基板的第一表面和所述第二基板的第一表面形成蚀刻槽。
10.根据权利要求9所述的基板，其特征在于，所述第一基板为薄膜晶体管阵列基板，所述第二基板为彩色滤光片基板。
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