[发明专利]陶瓷真空继电器改良结构有效
| 申请号： | 201210411009.2 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103779135A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 覃奀垚;贾冰冰;余佳;陈腾腾 | 申请（专利权）人： | 昆山国力真空电器有限公司 |
| 主分类号： | H01H33/66 | 分类号： | H01H33/66;H01H33/662 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215301 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 真空 继电器 改良 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种陶瓷真空继电器改良结构，包括陶瓷真空密封罩（1）和设于该陶瓷真空密封罩内的动触点和静触点，其特征在于：在所述陶瓷真空密封罩和其内的动触点和静触点之间设有屏蔽罩（2）。
2.根据权利要求1所述的陶瓷真空继电器改良结构，其特征在于：所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的内侧面上。
3.根据权利要求2所述的陶瓷真空继电器改良结构，其特征在于：所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的内侧面上的结构为：所述陶瓷真空密封罩和所述屏蔽罩均呈一表面开口的圆柱形，在所述陶瓷真空密封罩的内侧面上沿其周向设有一远离其轴线的台阶（11），该台阶上间隔设有若干个凸起（12），所述屏蔽罩开口的表面上向外一周设有凸棱（21），所述屏蔽罩置于所述陶瓷真空密封罩内时该凸棱正好置于所述台阶上，且该凸棱上对应所述台阶的凸起处设有凹槽（22）。
4.根据权利要求2所述的陶瓷真空继电器改良结构，其特征在于：所述台阶表面设有一层金属层。
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