[发明专利]陶瓷真空继电器改良结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种陶瓷真空继电器改良结构。

背景技术

目前，市场上现有的陶瓷真空继电器由真空室、传动部分、线圈等组成，此类继电器具有在高电压下通断负载的能力，由于继电器在通断负载时真空电弧会将金属蒸汽蒸散到陶瓷内表面，使继电器的绝缘电阻降低，从而影响其寿命。

发明内容

为了克服上述缺陷，本发明提供了一种陶瓷真空继电器改良结构，有效提高继电器的电负载寿命。

本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是：一种陶瓷真空继电器改良结构，包括陶瓷真空密封罩和设于该陶瓷真空密封罩内的动触点和静触点，在所述陶瓷真空密封罩和其内的动触点和静触点之间设有屏蔽罩。

作为本发明的进一步改进，所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的内侧面上。

作为本发明的进一步改进，所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的内侧面上的结构为：所述陶瓷真空密封罩和所述屏蔽罩均呈一表面开口的圆柱形，在所述陶瓷真空密封罩的内侧面上沿其周向设有一远离其轴线的台阶，该台阶上间隔设有若干个凸起，所述屏蔽罩开口的表面上向外一周设有凸棱，所述屏蔽罩置于所述陶瓷真空密封罩内时该凸棱正好置于所述台阶上，且该凸棱上对应所述台阶的凸起处设有凹槽。

作为本发明的进一步改进，所述台阶表面设有一层金属层。

本发明的有益效果是：通过在陶瓷真空密封罩内设一屏蔽罩可有效提高继电器的电负载寿命，并不会对继电器性能产生不良影响；同时在陶瓷真空密封罩内设一台阶，并对台阶进行了金属化处理即设一层金属层，可以方便的将屏蔽罩固定在陶瓷真空密封罩上。

附图说明

图1为本发明结构示意图；

图2为本发明所述陶瓷真空密封罩结构示意图；

图3为本发明所述屏蔽罩结构示意图。

结合附图，作以下说明：

1——陶瓷真空密封罩             2——屏蔽罩

11——台阶                      12——凸起

21——凸棱                      22——凹槽

具体实施方式

结合附图，对本发明作详细说明，但本发明的保护范围不限于下述实施例，即但凡以本发明申请专利范围及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利涵盖范围之内。

如图1所示，一种陶瓷真空继电器改良结构，包括陶瓷真空密封罩1和设于该陶瓷真空密封罩内的动触点和静触点，在所述陶瓷真空密封罩和其内的动触点和静触点之间设有屏蔽罩2，可以提高继电器的负载寿命，相对目前未设置屏蔽罩的继电器提高了约10倍。

优选的，所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的内侧面上。

优选的，如图2、3所示，所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的内侧面上的结构为：所述陶瓷真空密封罩和所述屏蔽罩均呈一表面开口的圆柱形，在所述陶瓷真空密封罩的内侧面上沿其周向设有一远离其轴线的台阶11，该台阶上间隔设有若干个凸起12，所述屏蔽罩开口的表面上向外一周设有凸棱21，所述屏蔽罩置于所述陶瓷真空密封罩内时该凸棱正好置于所述台阶上，且该凸棱上对应所述台阶的凸起处设有凹槽22。凹槽和凸起的配合有利于屏蔽罩和陶瓷真空密封罩更好的固定，并防止屏蔽罩相对陶瓷真空密封罩转动。

优选的，所述台阶表面设有一层金属层，以便将屏蔽罩固定在陶瓷真空密封罩上。同时，可通过高温材料将屏蔽罩焊接在陶瓷真空密封罩上，避免使用过程中出现松动。