[发明专利]电子照相感光体、处理盒和图像形成设备在审
申请号: | 201210411791.8 | 申请日: | 2012-10-25 |
公开(公告)号: | CN103309179A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 井手健太;成田幸介;川崎晃弘;杉浦聪哉;野中聪洋;中村博史;小关一浩;桥场成人 | 申请(专利权)人: | 富士施乐株式会社 |
主分类号: | G03G5/14 | 分类号: | G03G5/14;G03G5/06;G03G21/18;G03G15/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 照相 感光 处理 图像 形成 设备 | ||
1.一种电子照相感光体,所述电子照相感光体包含:
导电性支持体;
底涂层,所述底涂层设置在所述导电性支持体上且厚度为15μm~40μm,并且当厚度为至少15μm时对于波长为450nm的光具有20%以下的透光率;
电荷生成层,所述电荷生成层设置在所述底涂层上;和
电荷输送层,所述电荷输送层设置在所述电荷生成层上且厚度为15μm~40μm,并且当厚度为至少15μm时对于波长为450nm的光具有30%以下的透光率。
2.如权利要求1所述的电子照相感光体,
其中,所述底涂层在厚度为15μm时对于波长为450nm的光的透光率为5%~15%。
3.如权利要求1所述的电子照相感光体,
其中,所述底涂层在厚度为15μm时对于波长为450nm的光的透光率为10%~15%。
4.如权利要求1所述的电子照相感光体,
其中,所述底涂层含有金属氧化物和电子接受性化合物,并且相对于100重量份所述金属氧化物的颗粒,所述电子接受性化合物的含量为1重量份~5重量份。
5.如权利要求1所述的电子照相感光体,
其中,所述底涂层含有金属氧化物和电子接受性化合物,并且相对于100重量份所述金属氧化物的颗粒,所述电子接受性化合物的含量为2重量份~4重量份。
6.如权利要求1所述的电子照相感光体,
其中,所述电荷输送层在厚度为15μm时对于波长为450nm的光的透光率为10%~25%。
7.如权利要求1所述的电子照相感光体,
其中,所述电荷输送层在厚度为15μm时对于波长为450nm的光的透光率为15%~20%。
8.如权利要求1~7中任一项所述的电子照相感光体,
其中,所述电荷输送层包含由下式1表示的电荷输送材料:
其中,在式1中,R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地表示氢原子、卤原子、具有1~20个碳原子的烷基、具有1~20个碳原子的烷氧基或者具有取代基或不具有取代基的具有6~30个碳原子的芳基,两个彼此相邻的取代基可以彼此键合形成烃环结构,并且n和m各自独立地表示1或2。
9.如权利要求8所述的电子照相感光体,
其中,在所述式1中,由R1、R2、R3、R4、R5和R6表示的烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、辛基、十八烷基、异丙基和叔丁基。
10.如权利要求8所述的电子照相感光体,
其中,在所述式1中,R1、R2、R3、R4、R5和R6选自氢原子或甲基。
11.如权利要求1~10中任一项所述的电子照相感光体,
其中,所述底涂层包含由下式2表示的电子接受性化合物:
其中,在式2中,R11表示氢原子或烷基,并且n1表示0或1的整数。
12.一种处理盒,所述处理盒能与图像形成设备分离,所述处理盒至少包含:权利要求1~11中任一项所述的电子照相感光体。
13.一种图像形成设备,所述图像形成设备包含:
权利要求1~11中任一项所述的电子照相感光体;
充电单元,所述充电单元对所述电子照相感光体的表面充电;
静电潜像形成单元,所述静电潜像形成单元使所述电子照相感光体的表面曝光以形成静电潜像;
显影单元,所述显影单元使用显影剂使所述静电潜像显影以形成色调剂图像;和
转印单元,所述转印单元将所述色调剂图像由所述电子照相感光体转印至转印介质。
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