[发明专利]一种整流桥堆DIP刷胶工艺有效
申请号: | 201210412184.3 | 申请日: | 2012-10-25 |
公开(公告)号: | CN103123903A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 曹孙根 | 申请(专利权)人: | 南通康比电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 整流 dip 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及电子领域,具体是一种整流桥堆DIP刷较工艺。
背景技术
传统工艺的工艺流程如下:
1.工艺流程图如图1所示:
2.不足之处:
1)良率方面:晶粒经过二次高温360度,影响良率,且常规电性良率最高为95%;
2)可靠性方面:晶粒经过二次高温360度,会影响产品的可靠性,导致产品可靠性的潜在风险;
3)生产效率最大为:16.8K/人/12小时;
4)环保方面:预焊工艺会刷涂大量的焊油,需要使用化学试剂清洗,增加有机物的污染。
发明内容
本发明的任务在于提供一种整流桥堆DIP刷胶工艺。
为了解决以上技术问题,本发明的一种整流桥堆DIP刷胶工艺,主要为刷胶组焊、模压、后固化三个步骤构成,其特征在于:所述刷胶组焊工艺:利用丝网印刷,将锡膏印刷至框架工艺设计区域,再将芯片通过吸盘分向,并用吸笔转换至已经印刷锡膏的框架工艺设计区域。将组装完成的材料放进石墨舟通过焊接炉(Tpeak=350-360℃)使芯片与框架焊接在一起。
所述模压工艺:将已经焊好并清洗烘干的材料用环氧树脂通过注塑机塑封起来,以保护器件不受损伤。
所述后固化工艺:将塑封好的材料放置烘箱中烘烤(烘烤条件170-175℃/7.5小时),使环氧树脂充分硬化,增强产品的可靠性。
本发明的优点在于:1、可靠性方面:减少因二次焊接产生的热应力及机械损伤造成的良率问题以及产品的可靠性能问题潜在风险,传统工艺生产的材料试验项目基本有不同程度的失效,起失效数分布在1-2PCS,而创新工艺生产的材料所有试验项通过率均为100%。
2、生产效率方面:刷胶工艺一次性刷胶可达0.112K,耗时30秒,而预焊工艺一次装焊片材料0.056K,就耗时30秒,同时加少刷涂焊油的步骤,刷胶工艺效率相对预焊工艺效率提高约1倍,其生产效率最小为33K/人/12小时。
3、产品良率方面,刷胶工艺可以通过胶来固定晶粒,减少晶粒偏位或移位现象,而预焊工艺晶粒易偏位或移位,良率批次之间波动比较大,且平均良率仅有93.67%,刷胶工艺较传统预焊工艺良率提升至97.17%,且批次之间差异小。
附图说明
附图1为本发明背景技术中所述传统工艺的流程图。
具体实施方式
本发明的工艺如下:一种整流桥堆DIP刷胶工艺,主要为刷胶组焊、模压、后固化三个步骤构成。
步骤1) 刷胶组焊工艺:利用丝网印刷,将锡膏印刷至框架工艺设计区域,再将芯片通过吸盘分向,并用吸笔转换至已经印刷锡膏的框架工艺设计区域。将组装完成的材料放进石墨舟通过焊接炉(Tpeak=350-360℃)使芯片与框架焊接在一起。
步骤2)模压工艺:将已经焊好并清洗烘干的材料用环氧树脂通过注塑机塑封起来,以保护器件不受损伤。
步骤3)后固化工艺:将塑封好的材料放置烘箱中烘烤(烘烤条件170-175℃/7.5小时),使环氧树脂充分硬化,增强产品的可靠性。
本工艺制得的DIP,具有以下性能:
1、可靠性方面:与传统工艺比,减少因二次焊接产生的热应力及机械损伤造成的良率问题以及产品的可靠性能问题潜在风险,传统工艺生产的材料试验项目基本有不同程度的失效,起失效数分布在1-2PCS,而创新工艺生产的材料所有试验项通过率均为100%。可靠性试验通过率具体见下表:
。
2、生产效率反面:刷胶工艺一次性刷胶可达0.112K,耗时30秒,而预焊工艺一次装焊片材料0.056K,就耗时30秒,同时加少刷涂焊油的步骤,刷胶工艺效率相对预焊工艺效率提高约1倍,其生产效率最小为33K/人/12小时。
3、产品良率方面,刷胶工艺可以通过胶来固定晶粒,减少晶粒偏位或移位现象,而预焊工艺晶粒易偏位或移位,良率批次之间波动比较大,且平均良率仅有93.67%,刷胶工艺较传统预焊工艺良率提升至97.17%,且批次之间差异小。具体良率见下表:
。
4、环保方面:传统的方法为组装焊接时方便,业内都会刷涂高粘性焊油(主要成分是松香,呈弱酸性),且又需要用IPA(有机溶剂,易挥发)来清洗残留的含油,用来固定晶粒;而创新方法减少刷涂焊油,可减少清洗工序,减少对环境的污染。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造