[发明专利]一种掩膜版修复方法在审
| 申请号： | 201210413900.X | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103777463A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吴苇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F1/74 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜版 修复 方法 | ||
1.一种掩膜版修复方法，其特征在于，包括：
提供掩膜版；
对所述掩膜版的缺陷区域进行图形填充；
对图形填充后的掩膜版进行紫外光照射处理。
2.如权利要求1所述的掩膜版修复方法，其特征在于，所述紫外光照射处理为采用波长为100~280nm的紫外光，照射5~20分钟。
3.如权利要求1所述的掩膜版修复方法，其特征在于，所述紫外光的功率为7~15mw。
4.如权利要求1所述的掩膜版修复方法，其特征在于，对所述掩膜版的缺陷区域进行图形填充包括如下步骤：
复制相同结构的一个正常区域至缺陷区域，并与紧邻缺陷区域的另一个正常区域相匹配，得到待填充区域；
对所述待填充区域进行图形填充，得到填充区域；
对所述填充区域进行图形填充，得到修补后的区域和残余缺陷。
5.如权利要求4所述的掩膜版修复方法，其特征在于，所述正常区域的形状为线形。
6.如权利要求5所述的掩膜版修复方法，其特征在于，对所述修补后的区域边界的残余缺陷进行紫外光处理。
7.如权利要求4所述的掩膜版修复方法，其特征在于，所述正常区域的形状为方形。
8.如权利要求7所述的掩膜版修复方法，其特征在于，对所述修补后的区域所围成的区域中的残余缺陷进行紫外光处理。
9.如权利要求1所述的掩膜版修复方法，其特征在于，所述图形填充的方法为采用聚焦离子束进行图形填充。
10.如权利要求9所述的掩膜版修复方法，其特征在于，所述聚焦离子束包括高速镓离子。
11.如权利要求1所述的掩膜版修复方法，其特征在于，对所述掩膜版的缺陷区域填充萘。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
