[发明专利]一种掩膜版修复方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种掩膜版修复方法。

背景技术

在半导体制造过程中，光刻工艺一直是非常重要的一个环节，而掩膜版则是在光刻中占据着举足轻重的地位。常见的掩膜版包括透明的基底，例如可以是石英基底，和位于基底上的遮光层，通常所述遮光层需要含有金属，掩膜版既是将半导体制造过程中所需要的图形制作在遮光层内，从而使得该图形经过一系列过程形成在硅片上。

在掩膜版的制作过程中，通常会由于各种不可测的因素，例如环境、石英基底的纹路、光刻胶等的一系列问题，会导致制得的掩膜版存在缺陷，而通常掩膜版的价格不菲，故不可能将有缺陷的掩膜版丢弃，而是对其进行修复。

掩膜版的缺陷大致可分为两类，其中包括图形缺少（pattern missing），对于这种缺陷，现在多为使用聚焦离子束（Focused Ion Beam，FIB）进行修补。但是FIB很容易由于沉积而在修补的地方形成新的被称作晕环（halo）的缺陷，这将会影响掩膜版的良率，或者达不到较好的修复效果。业内目前采用SPM溶液（高浓度的H₂SO₄和H₂O₂的混合液）进行清洗这种方法来去除halo。但是，采用SPM清洗具有多种不便，例如，清洗周期较长，通常需要耗时1~5小时，而且采用酸洗会导致掩膜版上的相位层受到侵蚀，很容易导致相位层被破坏，从而使掩膜版报废。

发明内容

本发明的目的在于提供一种掩膜版修复方法，以解决现有技术中的修复方法效率低且效果差的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜版修复方法，包括：

提供掩膜版；

对所述掩膜版的缺陷区域进行图形填充；

对图形填充后的掩膜版进行紫外光照射处理。

可选的，对于所述的掩膜版修复方法，所述紫外光照射处理为采用波长为100~280nm的紫外光，照射5~20分钟。

可选的，对于所述的掩膜版修复方法，所述紫外光的功率为7~15mw。

可选的，对于所述的掩膜版修复方法，所述对所述掩膜版的缺陷区域进行图形填充包括如下步骤：

复制相同结构的一个正常区域至缺陷区域，并与紧邻缺陷区域的另一个正常区域相匹配，得到待填充区域；

对所述待填充区域进行图形填充，得到填充区域；

对所述填充区域进行图形填充，得到修补后的区域和残余缺陷。

可选的，对于所述的掩膜版修复方法，所述正常区域的形状为线形。

可选的，对于所述的掩膜版修复方法，对所述修补后的区域边界的残余缺陷进行紫外光处理。

可选的，对于所述的掩膜版修复方法，所述正常区域的形状为方形。

可选的，对于所述的掩膜版修复方法，对所述修补后的区域所围成的区域中的残余缺陷进行紫外光处理。

可选的，对于所述的掩膜版修复方法，所述图形填充的方法为采用聚焦离子束进行图形填充。

可选的，对于所述的掩膜版修复方法，所述聚焦离子束包括高速镓离子。

可选的，对于所述的掩膜版修复方法，对所述掩膜版的缺陷区域填充萘。

与现有技术相比，在本发明提供的掩膜版修复方法中，在对掩模版的缺陷区域进行填充后，采用紫外光对掩膜版进行照射，能够较快速并完整的去除残余缺陷，同时该方法不会对掩膜版造成损害，降低了处理风险，还能够防止在多次生产制造使用后使得缺陷变严峻的问题，从而大大的节省了生产成本。

附图说明

图1为本发明实施例的掩膜版修复方法的流程图；

图2~图6为本发明实施例一的掩膜版修复方法过程中的结构示意图；

图7~图11为本发明实施例二的掩膜版修复方法过程中的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提供的掩膜版修复方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图1所提供的流程图，本发明主要包括如下步骤：

步骤S101，提供掩膜版；

步骤S102，对所述掩膜版的缺陷区域进行图形填充；

步骤S103，对图形填充后的掩膜版进行紫外光照射处理。