[发明专利]TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201210414676.6 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103776669A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 段淑卿;陈柳;齐瑞娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
1.一种TEM样品的制备方法，包括：
提供进行离子束减薄之前的TEM样品；
在所述TEM样品的待观测区域附近形成标识坑；
对所述TEM样品进行离子束减薄，以逐渐扩大所述标识坑的范围，并在所述标识坑底部形成穿通所述TEM样品并逐渐扩大的洞口；
当所述标识坑底部的洞口边缘到达所述待观测区域时，结束所述离子束减薄。
2.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，利用激光照射所述TEM样品的待观测区域的附近区域，以形成所述标识坑。
3.根据权利要求2所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述激光波长为500~600nm，照射频率为20Hz，能量为50~80%。
4.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，在对所述TEM样品进行离子束减薄之前：所形成的标识坑与所述待观测区域之间的距离为30~60um，所述标识坑的坑口直径为20~40um，所述标识坑的深度为10~20um。
5.根据权利要求1至4任一项所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述的进行离子束减薄之前的TEM样品采用如下方法制成：
从所要检测的产品中分离出包含待检测区域的TEM样品；
对所述TEM样品进行漂洗和黏合；
对所述TEM样品的切面进行第一次研磨；
将所述TEM样品粘贴到一铜环；
对所述铜环上的TEM样品的所述切面进行第二次研磨，以制成所述的进行离子束减薄之前的TEM样品。
6.根据权利要求5所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，采用丙酮对所述TEM样品进行漂洗。
7.根据权利要求5所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，采用AB胶对所述TEM样品进行黏合，所述待观测区域位于粘合后的TEM样品靠近所述AB胶的一侧。
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