[发明专利]水溶性近红外量子点,其制备方法及应用

权利要求书

1.一种水溶性近红外CdTeSe/ZnS量子点的制备方法，包括以下步骤：

前体溶液的制备：分别将Te粉和Se粉溶于三辛基膦中，得到Te前体溶液和Se前体溶液，将二乙基二硫代氨基甲酸锌溶于十八烯和三辛基膦中，得到ZnS前体溶液；

量子点的生长：将Cd的氧化物或无机盐溶于三辛基氧膦和十四烷基磷酸，得到Cd前体溶液，加热Cd前体溶液至340-360℃，将Te前体和Se前体加入Cd前体溶液，降温至320℃，得到CdTeSe量子点溶液；

包壳：将CdTeSe量子点溶液降温至80-130℃，添加ZnS前体溶液，反应10-60分钟后，再升温至150-180℃反应0.5-4小时，得到CdTeSe/ZnS量子点溶液，其中ZnS与CdTeSe量子点的摩尔量比为10⁴至10⁵；

分离：将CdTeSe/ZnS量子点溶液冷却至室温，加入沉淀剂溶剂，离心分离沉淀物，干燥，得到CdTeSe/ZnS量子点粉末；

水化修饰：将CdTeSe/ZnS量子点粉末溶于有机溶剂A，添加下式的聚合物修饰剂在有机溶剂B中的溶液并混合，随后添加四甲基氢氧化铵，混合反应，其中CdTeSe/ZnS量子点与聚合物修饰剂的重量比为1∶1.5至1∶5，其中，有机溶剂A选自氯仿、甲苯，并且有机溶剂B为二甲亚砜，

其中，n为50；

分离：在水化修饰反应体系的上清液中加入异丙醇，离心分离沉淀物，干燥，得到水溶性近红外CdTeSe/ZnS量子点。

2.权利要求1所述的制备方法，其中，所述Te前体溶液和Se前体溶液的浓度为0.5至1mol/L。

3.权利要求1所述的制备方法，其中，所述ZnS前体溶液的浓度为0.5至1mol/L。，并且所述ZnS前体溶液中，十八烯与三辛基膦的比率为1∶1。

4.权利要求1所述的制备方法，其中，所述Cd的氧化物为CdO，并且Cd的无机盐为Cd(Ac)₂。

5.权利要求1所述的制备方法，其中，所述Cd前体溶液的浓度为0.1至0.5mol/L，并且所述Cd前体溶液中，三辛基氧膦与十四烷基磷酸的比率为12∶1。

6.权利要求1所述的制备方法，其中，N_Cd：(N_Se+N_Te)为0.5-3.0，并且N_Te：(N_Se+N_Te)为0-0.25。

7.权利要求1所述的制备方法，其中，所述沉淀剂溶剂为正己烷/甲醇、氯仿/甲醇、丙酮，或它们的任意组合。

8.采用权利要求1至7中任一项所述的制备方法，得到的水溶性近红外CdTeSe/ZnS量子点。

9.权利要求8所述的水溶性近红外CdTeSe/ZnS量子点在荧光生物标记、荧光离子探针和半导体器件中的应用。