[发明专利]水溶性近红外量子点,其制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201210417040.7 申请日: 2012-10-25
公开(公告)号: CN103013520A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 蔡林涛;高笃阳;张鹏飞;刘淑慧;胡德红;盛宗海;龚萍 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88;C09K11/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 水溶性 红外 量子 制备 方法 应用
【说明书】:

【技术领域】

发明涉及半导体纳米材料领域,具体涉及一种量子点的制备方法,由此得到的水溶性近红外CdTeSe/ZnS量子点,及其应用。 

【背景技术】

半导体纳米材料(量子点)是由无机半导体材料组成的具有一定晶体结构的纳米粒子,具有尺寸依赖的电学和光学性能,被广泛应用于生物检测,催化,光电能量转换等领域。自1998年被用于生物荧光标记以来,量子点作为生物探针已被广泛应用于分子生物学、医学诊断学等学科中。 

量子点的另一个应用领域是用于生物医学活体成像的研究,由于在可见光区(400-650nm)成像存在着诸多问题,如会受到生物组织中内源性物质(黑色素、有氧/无氧血红蛋白、胆红素和水等)的吸收、散射等对光学成像的影响。而近红外区域(650-900nm)的能量不易被生物组织中内源性物质吸收,采用近红外量子点成像具有更有效穿透组织,灵敏度高等特点,因此近红外量子点在分子生物学、细胞生物学及医学诊断学等方面引起了广泛关注。 

目前,近红外量子点的波长调节方式主要通过三种途径实现,1)利用窄禁带材料,通过粒径大小调节发射波长;2)利用晶格可伸缩材料,通过核壳材料调节发射波长;3)利用成分组成,通过调节组分含量调节发射波长。 

2006年,Bawendi等(Zimmer,J.P.;Kim,S.W.;Ohnishi,S.;Tanaka,E.;Frangioni,J.V.;Bawendi,M.G.Size Series of Small Indium Arsenide-Zinc Selenide Core-Shell Nanocrystals and Their Application to In Vivo Imaging,J.Am.Chem.Soc.2006,128,2526-2527.)以窄禁带材料InAs为核,合成了发射范围在700nm-800nm近红外量子点,并通过硫辛酸修饰后用于生物成像,Nie shuming等(Andrew M.Smith,Aaron M.Mohs and Shuming Nie,Tuning the optical and electronic properties of colloidal nanocrystals by lattice strain,Nature Nanotechnology,2009,56-63)在油相中高温制备了CdTe/ZnSe核壳量子点,该 方法通过调节ZnSe壳层厚度,可合成发射波长在650nm-900nm的量子点;2003年,Bailey等(Robert E.Bailey and Shuming Nie,Alloyed Semiconductor Quantum Dots:Tuning the Optical Properties without Changing the Particle Size,J.Am.Chem.Soc.2003,125,7100-7106)通过控制硒和碲的比例,合成了三元近红外量子点。 

现有技术通过窄禁带材料(InAs)或者通过壳层压缩(CdTe/ZnSe)合成的近红外量子点,是通过核或者壳的生长来调节波长的,会影响量子点的大小,不同大小的量子点具有不同的比表面积,从而会对应用产生一定的影响。 

对量子点的包壳一般采用Peng xiaogang等(J.Jack Li,Y.Andrew Wang,Wenzhuo Guo,Joel C.Keay,Tetsuya D.Mishima,Matthew B.Johnson,Xiaogang Peng,Large-Scale Synthesis of Nearly Monodisperse CdSe/CdS Core/Shell Nanocrystals Using Air-Stable Reagents via Successive Ion Layer Adsorption and Reaction.Journal of the American Chemical Society,2003,125,12567-12575)的连续离子层吸附(SILAR)方法,把前体溶液交替滴入反应容器,达到包壳的目的。 

然而,这种包壳方式过程控制复杂,造成合成的量子点表面存在较多缺陷,而缺陷的增加,会降低量子点的量子产率。此外,这种包壳方法中,加入前体时的温度通常比较高,为了防止加入的离子自己成核,添加速度很慢,并且加入完成后也需要生长较长的时间。 

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