[发明专利]发光二极管和制造该发光二极管的沉积装置

权利要求书

1.一种发光二极管，该发光二极管包括：

第一电极，所述第一电极包括反射金属层和形成在所述反射金属层上的透明导电材料层；

发射材料层，所述发射材料层形成在所述第一电极上并且包括用主体以及第一掺杂物和第二掺杂物形成的发光层；以及

第二电极，所述第二电极形成在所述发射材料层上并且是半透明电极，

其中，与所述第一掺杂物的光致发光（PL）光谱的峰值对应的第一波长比与所述第一掺杂物的电致发光（EL）光谱的峰值对应的第二波长短，并且与所述第二掺杂物的PL光谱的峰值对应的第三波长比与所述第二掺杂物的EL光谱的峰值对应的第四波长长。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，对应于所述第二波长和所述第四波长之间的中间波长，调节所述第一电极和所述第二电极之间的距离。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，用于计算所述第一电极和所述第二电极之间的距离的等式如下：

(d_org)×(n_org)+(d_ITO)×(n_ITO)=λ/2m，

其中，(d_org)代表所述第一电极和所述第二电极之间的距离，(n_org)代表所述发光层的折射率，(d_ITO)代表所述透明导电材料层的厚度，(n_ITO)代表所述透明导电材料层的折射率，λ代表所述中间波长，并且m是自然数。

4.一种发光二极管，该发光二极管包括：

第一电极，所述第一电极包括反射金属层和形成在所述反射金属层上的透明导电材料层；

发射材料层，所述发射材料层形成在所述第一电极上并且包括用主体以及第一掺杂物和第二掺杂物形成的发光层；以及

第二电极，所述第二电极形成在所述发射材料层上并且是半透明电极，

其中，定义对应于与所述第一掺杂物的光致发光（PL）光谱的峰值对应的第一波长和与所述第二掺杂物的PL光谱的峰值对应的第二波长之间的中间波长的第三波长，并且所述第一掺杂物的所述第一波长比所述第三波长短，所述第二掺杂物的所述第二波长比所述第三波长长。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，对应于所述第三波长，调节所述第一电极和所述第二电极之间的距离。

6.一种制造发光二极管的沉积装置，该沉积装置包括：

腔室，所述腔室具有内部空间；

基板支承件，所述基板支承件布置在所述腔室的上部空间中并且被构造成支承基板；

第一炉，所述第一炉布置在所述腔室的下部空间中并且储存第一源，所述第一炉定位为垂直于所述基板的表面；

第二炉，所述第二炉布置在所述腔室的下部空间中、所述第一炉的一侧，并且储存第二源，所述第二炉定位为相对于所述基板的表面成第一角度；以及

第三炉，所述第三炉布置在所述腔室的下部空间中、所述第一炉的另一侧，并且储存第三源，所述第三炉定位为相对于所述基板的表面成第二角度。

7.根据权利要求6所述的沉积装置，其中，所述第一源是掺杂物，所述第二源和所述第三源分别是第一源和第二源，并且其中，所述第一主体的空穴迁移率比所述第一主体的电子迁移率大，所述第二主体的空穴迁移率比所述第二主体的电子迁移率小。

8.根据权利要求7所述的沉积装置，其中，所述第二炉和所述第三炉中的每个的尺寸大于所述第一炉的尺寸。

9.根据权利要求6所述的沉积装置，其中，所述第一源是主体，所述第二源和所述第三源分别是具有不同发光光谱峰值的第一掺杂物和第二掺杂物。

10.根据权利要求9所述的沉积装置，其中，所述第二炉和所述第三炉中的每个的尺寸比所述第一炉的尺寸小。

11.根据权利要求6所述的沉积装置，其中，所述第一角度和所述第二角度中的每个具有大约3°至50°的范围。

12.根据权利要求6所述的沉积装置，该沉积装置还包括上面布置所述第一炉、所述第二炉和所述第三炉的工作台。