[发明专利]发光二极管和制造该发光二极管的沉积装置

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示（OLED）装置，更具体地讲，涉及发光二极管和制造该发光二极管的沉积装置。

背景技术

近年来，已经开发出具有低功耗的轻薄型平板显示器并且将其应用到各种技术领域。

在有机发光显示（OLED）装置中，将电荷注入在作为电子注入电极的阴极和作为空穴注入电极的阳极之间形成的发光层中，以形成电子-空穴对，并且当电子-空穴对消失时发光。因为可以形成在诸如塑料基板的柔性基板上的OLED装置是自发射型装置，所以该装置提供了优异的色彩，并且因为它可以在低电压（低于10V）下驱动，所以还具有低功耗。

因为与液晶显示器（LCD）或等离子体显示面板（PDP）装置不同，OLED装置可以通过非常简单的制造工艺制造，所以沉积装置和封装装置是制造OLED装置仅需要的制造装置。

具体地讲，在有源矩阵型中，因为用于控制施加到像素的电流的电压被充入存储电容器中以在施加下一帧信号之前保持恒定电压，所以无论选通线的数量有多少，在显示画面时都保持发光状态。以下参照图1描述这个操作。

图1是示出传统OLED装置的子像素区SP的电路图。

如图1中所示，在OLED装置中，选通线GL、数据线DL和电源线PL以彼此交叉的方式布置，从而限定多个子像素区SP，并且在每个子像素区SP中，形成开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和发光二极管Del。

开关薄膜晶体管Ts连接到选通线GL和数据线DL，驱动薄膜晶体管Td和存储电容器Cst连接在开关薄膜晶体管Ts和电源线PL之间，并且发光二极管Del连接到驱动薄膜晶体管Td。

当OLED装置显示图像时，开关薄膜晶体管Ts根据施加到选通线GL的选通信号导通，并且施加到数据线DL的数据信号通过开关薄膜晶体管Ts施加到驱动薄膜晶体管Td的栅极和存储电容器Cst的一个电极。

驱动薄膜晶体管Td根据数据信号导通，结果，与数据信号成正比的电流从电源线PL通过驱动薄膜晶体管Td流入发光二极管Del，使得发光二极管Del以与流过驱动薄膜晶体管Td的电流成正比的亮度发光。

此时，存储电容器Cst被充入与数据信号成正比的电压，以在一帧期间保持驱动薄膜晶体管Td的栅极的电压。

因此，OLED装置可以使用选通信号和数据信号显示期望的图像。

发光二极管Del包括连接到驱动薄膜晶体管Td的第一电极、与第一电极相对的第二电极、以及位于第一电极和第二电极之间的有机发光层。例如，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极。

OLED装置可以按照红色、绿色和蓝色的发光模式被分为红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管。

通用发光二极管的发光材料可以由主体（host）和掺杂物（dopant）制成。

以下参照图2描述通用发光二极管。图2是通用红色发光二极管RLE的剖视图。

如图2中所示，红色发光二极管RLE包括位于阳极1和阴极7之间的有机发光层。该有机发光层包括布置在阳极1和阴极7之间的发射材料层（EML）4、布置在阳极1和发射材料层4之间的用于将来自阳极1的空穴和来自阴极7的电子注入发射材料层4的空穴传输层（HTL）3、以及布置在阴极7和发射材料层4之间的电子传输层（ELT）5。另外，为了有效注入空穴和电子，在阳极1和空穴传输层3之间布置空穴注入层（HIL）2并且在电子传输层5和阴极7之间布置电子注入层（EIL）6。

发射材料层（EML）4由主体ho和掺杂物do形成。

最近，为了以低电压得到高发光效率，使用短波长发光材料作为掺杂物do。

短波长发光材料是指其电致发光（EL）光谱的峰值的波长比其光致发光（PL）光谱的峰值的波长长的发光材料。EL光谱表示关于用电发光的发光材料所发射光的波长的强度，EL光谱表示关于在阳极1和阴极7之间施加电时所发射光的波长的强度。PL光谱表示关于由于外部的光激励而发光的发光材料所发射光的波长的强度。

然而，当使用这种短波长发光材料作为掺杂物do时，产生以下问题。

以下参照图3A、图3B和图3C描述这些问题。图3A、图3B和图3C是示出当使用红色短波长发光材料作为掺杂物时出现的问题的仿真结果，其中，图3A是示出相对于分别对应于红色、绿色、蓝色和白色的发光材料的视角的亮度变化的曲线图，图3B是示出相对于分别对应于红色、绿色、蓝色和白色的发光材料的视角的颜色变化的曲线图，图3C是示出相对于白色的视角的亮度变化的曲线图。

首先，描述相对于视角的亮度变化。