[发明专利]堆叠封装结构无效
申请号: | 201210417644.1 | 申请日: | 2012-10-17 |
公开(公告)号: | CN103050455A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 陈泰宇;张峻玮;吴忠桦 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李鹤松 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 封装 结构 | ||
1.一种堆叠封装结构,其特征在于,包括:
上封装体,包括第一基底及安装在该第一基底上的第一芯片,其中该第一基底的热导率大于70W/(m×K);以及
下封装体,位于该上封装体下方,包括第二基底及安装在该第二基底上的第二芯片,其中该第二芯片的上表面与该第一基底的下表面热接触。
2.根据权利要求1所述的堆叠封装结构,其特征在于,该上封装体还包括散热片,该散热片与该第一芯片的上表面热接触。
3.根据权利要求1所述的堆叠封装结构,其特征在于,该第一芯片通过多个凸块或导线电连接至该第一基底。
4.根据权利要求1所述的堆叠封装结构,其特征在于,该第一基底为硅基底。
5.根据权利要求1所述的堆叠封装结构,其特征在于,该第二芯片内包括多个贯穿基底的通孔,使该第二芯片通过该多个贯穿基底的通孔与该第一基底及/或该第二基底电连接。
6.根据权利要求1所述的堆叠封装结构,其特征在于,该第二芯片通过该第二芯片与该第一基底之间的导热界面材料或通过该第二芯片与该第一基底之间的直接接触与该第一基底热接触。
7.根据权利要求1所述的堆叠封装结构,其特征在于,该第二芯片通过该第二芯片与该第一基底之间的导热界面材料与该第一基底热接触,该导热界面材料包括焊料凸块、铜凸块、热脂或微米银。
8.根据权利要求1所述的堆叠封装结构,其特征在于,包括多个凸块,设置于该第一基底与该第二基底之间,使该第一基底电连接至该第二基底。
9.根据权利要求1所述的堆叠封装结构,其特征在于,该第二基底的热导率大于70W/(m×K)。
10.根据权利要求1所述的堆叠封装结构,其特征在于,该第二基底为硅基底。
11.一种堆叠封装结构,其特征在于,包括:
上封装体,包括第一基底及安装在该第一基底上的第一芯片,其中至少一个电浮置接合垫位于该第一基底的下表面;以及
下封装体,位于该上封装体下方,包括第二基底及安装在该第二基底上的第二芯片,其中该第二芯片的上表面与该电浮置接合垫热接触。
12.根据权利要求11所述的堆叠封装结构,其特征在于,该上封装体还包括散热片,该散热片与该第一芯片的上表面热接触。
13.根据权利要求11所述的堆叠封装结构,其特征在于,该第一芯片通过多个凸块或导线而电连接至该第一基底。
14.根据权利要求11所述的堆叠封装结构,其特征在于,该第一基底为印刷电路板。
15.根据权利要求14所述的堆叠封装结构,其特征在于,至少三层铜层埋设于该印刷电路板内的不同层位,且其中该电浮置接合垫连接至该至少三层铜层的其中一层铜层。
16.根据权利要求11所述的堆叠封装结构,其特征在于,该第二芯片内包括多个贯穿基底的通孔,使该第二芯片通过该多个贯穿基底的通孔与该第一基底及/或该第二基底电连接。
17.根据权利要求11所述的堆叠封装结构,其特征在于,该第二芯片通过该第二芯片与该电浮置接合垫之间的导热界面材料或通过该第二芯片与该电浮置接合垫之间的直接接触与该电浮置接合垫热接触。
18.根据权利要求11所述的堆叠封装结构,其特征在于,该第二芯片通过该第二芯片与该电浮置接合垫之间的导热界面材料与该电浮置接合垫热接触,该导热界面材料包括焊料凸块、铜凸块、热脂或微米银。
19.根据权利要求11所述的堆叠封装结构,其特征在于,包括多个凸块,设置于该第一基底与该第二基底之间,使该第一基底电连接至该第二基底。
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