[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：

a)提供衬底(100)，所述衬底（100）包括第一方向和第二方向；

b)在所述衬底(100)上形成栅堆叠，所述栅堆叠依次包括第一绝缘层（110）和浮栅；

c)在所述第一方向对浮栅进行刻蚀，使得所述浮栅的侧壁在第一方向上形成至少两个凹陷；

d)在浮栅上淀积形成第二绝缘层（170）和控制栅（180），所述第二绝缘层（170）和控制栅（180）在第一方向覆盖所述浮栅的侧面；

e)在第二方向上对所述浮栅进行刻蚀，使得所述浮栅的侧壁在第二方向形成至少两个凹陷；

f)在堆叠栅两侧形成源/漏区(310)。

2.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，在所述步骤b）中，在所述衬底(100)上淀积形成第一绝缘层（110）和浮栅层之后，还需在所述浮栅层之上淀积光刻胶，之后对第一绝缘层（110）和浮栅层进行图形化刻蚀，直至未被光刻胶覆盖的部分裸露出衬底（100）。

3.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其中在所述步骤b）中，所述浮栅的形成方法为：

在第一绝缘层（110）上依次淀积形成导电的至少第一至第五层材料层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构制造方法，其中：

其中在步骤c）和步骤e）中，对第二和第四材料层的刻蚀速率大于对第一、第三和第五材料层的刻蚀速率。

5.根据权利要求4所述的半导体结构制造方法，

其中在步骤c）和步骤e）中，对第四材料层的刻蚀速率大于对第二材料层的刻蚀速率。

6.根据权利要求1-5中的任何一项所述的半导体结构制造方法，其中所述第一方向为字线方向，所述第二方向为位线方向。

7.一种半导体结构，包括：

衬底(100)，所述衬底（100）包括第一方向和第二方向；

栅堆叠，位于所述衬底(100)之上，所述栅堆叠由第一绝缘层（110）和浮栅、第二绝缘层（170）和控制栅（180）从下往上依次堆叠而成；

所述浮栅侧面在所述第一方向和第二方向上分别具有两个以上的凹陷；

源/漏区(310)，在第二方向位于所述栅堆叠两侧的衬底(100)中。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中所述浮栅在第一绝缘层（110）上依次包括第一至第五层材料层。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述第二绝缘层（170）和控制栅（180）在第一方向覆盖浮栅的侧面。

10.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，在所述浮栅侧面，所述第二和第四材料层相对于第一、第二和第三材料层形成凹陷，并且所述第四材料层的凹陷深度大于所述第二材料层的凹陷深度。