[发明专利]自适应量程电阻测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及电阻测试技术领域，特别是涉及一种自适应量程电阻测试方法。

背景技术

现有针对阱电阻，孔电阻，方块电阻等两端电阻测试方法为：在任意端（高端）加电流，另一端（低端）接地，并设置各端的量程。等待0.1秒后，量取高端的电压值，电阻=电压/电流/系数，其中系数可根据实际情况进行设置，一般与个数，宽长比有关。

Ag4070机台的测试分辨率与设置的量程值有关，由于工艺波动，电阻类型不同，电阻阻值难以把握，故量测出的电压范围不同，测试输出值分辨率与量程设置有关，量程设置不当会导致误差偏大。现有的测试方法可满足器件需求，但分辨率不足，误差大，导致测试均匀性不好。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种自适应量程电阻测试方法。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种自适应量程电阻测试方法，其可以更精确地测试电阻阻值。

为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下：

一种自适应量程电阻测试方法，所述方法包括以下步骤：

S1、在电阻上通入电流I_a，使电阻两端形成电压差，设置测试量程为V_lim1；

S2、在电流I_a下测量电阻两端的电压差V_a1；

S3、在电阻上通入电流I_b，使电阻两端形成电压差，以V_a1为基数设置新的测试量程V_lim2，其中V_a1、I_b、V_a1和I_a满足V_lim2/I_b≥V_a1/I_a；

S4、在电流I_b下测量电阻两端的电压差V_a2；

S5、根据I_b和V_a2测算并输出电阻两端的阻值。

作为本发明的进一步改进，所述V_a1、I_b、V_a1和I_a满足(V_lim2/I_b)/(V_a1/I_a)=k，k为常数且1≤k≤1.2，步骤S3中新的测试量程V_lim2为k*V_a1*(I_b/I_a)。

作为本发明的进一步改进，所述(V_lim2/I_b)/(V_a1/I_a)=k中，k设为常数1.1，步骤S3中新的测试量程V_lim2为1.1V_a1*(I_b/I_a)。

作为本发明的进一步改进，所述电流I_b=I_a，步骤S3中新的测试量程V_lim2为k*V_a1。

作为本发明的进一步改进，所述电流I_b=I_a/k，步骤S3中新的测试量程V_lim2为V_a1。

作为本发明的进一步改进，所述电阻一端通入电流，另一端接零电位。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S5中电阻两端的阻值为V_a2/I_b。

作为本发明的进一步改进，所述测试量程为V_lim1时，电阻的测量分辨率为0.0001V_lim1；测试量程为V_lim2时，电阻的测量分辨率为0.0001V_lim2。

本发明的有益效果是：本发明通过大量程对电阻进行测试，根据电阻两端的电压值和电流估测出待测电阻的阻值，然后根据估测出待测电阻的阻值重新设置通入的电流大小及电压测量量程，在保证电压不超出量程的情况下，提高了电压测量的分辨率，进而提高电阻的测量精度，减小了电阻测试误差，满足了工艺需要。

附图说明