[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210422159.3 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794480A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅极介电层、栅极材料层和硬掩膜层；
蚀刻所述硬掩膜层，并以经过所述蚀刻的硬掩膜层为掩膜，部分回蚀刻所述栅极材料层；
在所述硬掩膜层的两侧形成第一侧壁；
以所述第一侧壁为掩膜，蚀刻所述栅极材料层和栅极介电层，在所述半导体衬底上形成栅极结构；
在所述栅极结构的两侧形成第二侧壁；
去除所述硬掩膜层和所述第一侧壁，在所述栅极结构顶部的两侧形成凹槽；
形成自对准金属硅化物。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极介电层的构成材料包括氧化物。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极材料层的构成材料包括多晶硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的构成材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物、无定形碳、硼氮或者以上材料的任意组合。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的蚀刻过程包括以下步骤：在所述硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层；采用干法蚀刻工艺去除未被所述光刻胶层遮蔽的硬掩膜层；采用灰化工艺去除所述光刻胶层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述部分回蚀刻过程结束之后，所述硬掩膜层的厚度大于100埃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述部分回蚀刻过程去除的栅极材料层的厚度为50-500埃。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一侧壁的构成材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物、无定形碳、硼氮或者以上材料的任意组合。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二侧壁的构成材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物、无定形碳、硼氮或者以上材料的任意组合。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二侧壁的高度大于或小于所述栅极结构的高度。
11.根据权利要求1或10所述的方法，其特征在于，所述栅极结构由依次层叠的所述栅极介电层和所述栅极材料层构成。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硬掩膜层和所述第一侧壁的去除过程之前或者之后，还包括执行一离子注入的步骤，以在所述第二侧壁两侧的半导体衬底中形成源区和漏区。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用自对准硅化物阻挡层工艺形成所述自对准金属硅化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
