[发明专利]非挥发性存储器制造方法及其构造

权利要求书

1.  一种非挥发性存储器制造方法；其特征在于该非挥发性存储器制造方法包含：  （A）于一硅基板上间隔地形成多个间断式的隔离层，且根据每一隔离层与相邻的隔离层分别界定一漏区域，其中每一条隔离层具有切断该条隔离层的多个空隙，所述空隙在垂直于所述隔离层的方向上形成一共同的源区域，所述漏区域通过该源区域互相连通；  （B）依序于该硅基板上附着一穿隧介电层、一电荷捕捉层、一阻电层，及一栅层；  （C）通过光阻屏蔽与蚀刻的图案化制程形成堆叠而成的多个栅极结构；及（D）于该硅基板上的每一漏区域形成一漏极接触窗，且于该硅基板上的该源区域形成至少一源极接触窗。

2.  根据权利要求1所述的非挥发性存储器制造方法，其特征在于：在步骤（D）中于该源区域每间隔至少二隔离层形成该源极接触窗。

3.  根据权利要求2所述的非挥发性存储器制造方法，其特征在于：在步骤（B）中该穿隧介电层与该阻电层分别由氧化硅所组成，该电荷捕捉层由氮化硅所组成，且该栅层由多晶硅所组成。

4.  根据权利要求2所述的非挥发性存储器制造方法，其特征在于：在步骤（B）中通过热氧化的方式将该穿隧介电层附着于该硅基板上，且通过热氧化的方式将该阻电层附着于该电荷捕捉层上。

5.  根据权利要求2所述的非挥发性存储器制造方法，其特征在于：在步骤（B）中通过低压化学气相沉积法的方式将该电荷捕捉层附着于该穿隧介电层上，且通过低压化学气相沉积法将该栅层附着于该阻电层上。

6.  根据权利要求2所述的非挥发性存储器制造方法，其特征在于：在步骤（D）中通过离子植入法形成漏极掺杂区与源极掺杂区，再形成用于供漏极掺杂区与源极掺杂区和外部电性连接的所述漏极接触窗与该源极接触窗。

7.  一种非挥发性存储器构造，其特征在于该非挥发性存储器构造包含：一硅基板；多个间断式的隔离层，间隔地形成于该硅基板上，其中每一隔离层与相邻的隔离层分别界定一漏区域，且所述隔离层由多个空隙所分离，所述空隙在垂直于所述隔离层的方向上形成一共同的源区域，所述漏区域通过该源区域互相连通；一穿隧介电层，附着于该硅基板上；一电荷捕捉层，附着于该穿隧介电层上；一阻电层，附着于该电荷捕捉层上；及一栅层，附着于该阻电层上；其中该穿隧介电层、该电荷捕捉层、该阻电层，及该栅层形成堆叠而成的多个栅极结构，且该硅基板上的每一漏区域形成一漏极接触窗，而该硅基板上的该源区域形成至少一源极接触窗。

8.  根据权利要求7所述的非挥发性存储器构造，其特征在于：于该源区域每间隔至少二隔离层形成该源极接触窗。

9.  根据权利要求8所述的非挥发性存储器构造，其特征在于：其中该穿隧介电层与该阻电层分别由氧化硅所组成，该电荷捕捉层由氮化硅所组成，且该栅层由多晶硅所组成。