[发明专利]非挥发性存储器制造方法及其构造

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储器制造方法，特别是涉及一种非挥发性存储器（Non-Volatile Memory）制造方法及其构造。

背景技术

随着存储器制程的进步，非挥发性存储器的应用范围也越来越广泛，从过去应用于电子装置开机用途(例，将BI OS刻录于EEPROM)，到现今应用于数据储存用途，其中最受欢迎的莫过于快闪存储器(Flash Memory)。然而也基于此转变，快闪存储器的稳定度就显得隔外地重要。

常见的快闪存储器架构为浮动栅(Floating Gate)架构。所谓的浮动栅架构存储器通常会包含一存储器阵列。该存储器阵列形成于一基板上，并包括多个记忆胞。每一个记忆胞为具有一控制栅极、一浮动栅极、一源极(Source)，及一漏极(Drain)的晶体管。其中该浮动栅极通过一层穿遂氧化层与源极、漏极分离，并可用来保持电荷。也就是说，该控制栅极可以通过施加电压促使电子由漏极穿过该穿遂氧化层，以将电子注射至浮动栅极，使得每一记忆胞充电。也就是说，电荷在浮动栅极中存在与否，可以用来决定所述记忆胞进行写入数据或抹除数据的行为。

然而，如何降低快闪存储器的写入/抹除电压，一直是有待解决的问题。现有的方式通常是通过减少穿遂氧化层的厚度，进而达成降低快闪存储器的写入/抹除电压的目的。然，上述的方式会引起明显的漏电流问题，也就是说，相较于厚的穿遂氧化层而言，薄的穿遂氧化层所储存的电荷更有可能漏至该基板。也就是说，若穿遂氧化层有缺陷的话，则所有储存的电荷很有可能通过此缺陷而漏出，而如此不稳定的状态，会造成储存于记忆胞的数据有遗失的疑虑。

因此，  另一种快闪存储器架构，  即采用硅氧氮氧硅((Poly-Si)-SiO2-Si3N4-SiO2-Si，以下简称SONOS)构造的快闪存储器，由于其可以在不引起严重电荷损失的情况下降低穿遂氧化层的厚度，所以越来越受到重视。参阅图1，现有的SONOS快闪存储器主要包含一硅基板1，多个隔离层2、多个字符线11、多个源极接触窗1 2、多个漏极接触窗1 3，及多个S ONOS存储器胞1 4。其中，所述源极接触窗1 2与漏极接触窗1 3形成于任二隔离层2与任二字符线11所定义出的一区域1 5。

可预期的是，随着存储器制程越来越小，所述隔离层2与所述字符线11所定义出的该区域1 5也会越来越小，因此，欲在该区域1 5形成上述的接触窗的难度将会越来越高，换句话说，在现有的S ONOS架构下，存储器制程的发展将会受到上述的接触窗所限制。

发明内容

本发明的目的在于提供一种非挥发性存储器制造方法。

本发明非挥发性存储器制造方法，包含以下步骤：  （A）于一硅基板上间隔地形成多个间断式的隔离层，且根据每一隔离层与相邻的隔离层分别界定一漏区域，其中每一条隔离层具有切断该条隔离层的多个空隙，所述空隙在垂直于所述隔离层的方向上形成一共同的源区域，所述漏区域通过该源区域互相连通；  （B）依序于该硅基板上附着一穿隧介电层、一电荷捕捉层、一阻电层，及一栅层；  （C）通过光阻屏蔽与蚀刻的图案化制程形成堆叠而成的多个栅极结构；及（D）于该硅基板上的每一漏区域形成一漏极接触窗，且于该硅基板上的该源区域形成至少一源极接触窗。

本发明的另一目的在于提供一种非挥发性存储器构造。

本发明非挥发性存储器构造，包含一硅基板、多个间断式的隔离层、一穿隧介电层、一电荷捕捉层、一阻电层，及一栅层。

所述间断式的隔离层间隔地形成于该硅基板上。其中每一隔离层与相邻的隔离层分别界定一漏区域，且所述隔离层由多个空隙所分离。所述空隙在垂直于所述隔离层的方向上形成一共同的源区域。所述漏区域通过该源区域互相连通。

该穿隧介电层附着于该硅基板上。

该电荷捕捉层附着于该穿隧介电层上。

该阻电层附着于该电荷捕捉层上。

该栅层附着于该阻电层上。

该穿隧介电层、该电荷捕捉层、该阻电层，及该栅层形成堆叠而成的多个栅极结构，且该硅基板上的每一漏区域形成一漏极接触窗。而该硅基板上的该源区域形成至少一源极接触窗。

本发明的有益效果在于：通过形成于该硅基板上的所述间隔的隔离层，使得所述漏区域能通过该源区域互相连通，且于该硅基板上形成该源极接触窗时，相较于现有的SONOS架构，缩小制程时较不易受到所述源极接触窗的限制。

附图说明

图1是一俯视图，说明现有的S ONOS架构快闪存储器；

图2是一流程图，说明本发明非挥发性存储器制造方法的较佳实施例的步骤；