[发明专利]基于多层闪存单元的存储装置及存储方法有效
| 申请号： | 201210423934.7 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102968389A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 吴祖顺 | 申请（专利权）人： | 记忆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 刘健;黄韧敏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 多层 闪存 单元 存储 装置 方法 | ||
1.一种基于多层闪存单元的存储装置，其特征在于，包括闪存控制器以及由多层闪存单元组成的存储区，所述存储区包括第一逻辑分区和第二逻辑分区，所述第一逻辑分区用于存储数据，所述闪存控制器和所述第一逻辑分区进行数据传输时，所述第二逻辑分区作所述闪存控制器和第一逻辑分区之间的高速缓冲存储器。
2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述第一逻辑分区的容量大于第二逻辑分区的容量。
3.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述第一逻辑分区的闪存阵列可同时对多层闪存单元中的最高有效位和最低有效位编程，所述第二逻辑分区的闪存阵列只能对所述多层闪存单元中的最低有效位编程。
4.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述存储装置为固态硬盘。
5.一种通过如权利要求1所述装置实现的存储方法，其特征在于，所述方法包括：
将所述存储区分为第一逻辑分区和第二逻辑分区，所述第一逻辑分区用于存储数据；
所述闪存控制器和所述第一逻辑分区进行数据传输时，所述第二逻辑分区作所述闪存控制器和第一逻辑分区之间的高速缓冲存储器。
6.根据权利要求5所述的存储方法，其特征在于，所述第一逻辑分区的容量大于第二逻辑分区的容量。
7.根据权利要求5所述的存储方法，其特征在于，所述第一逻辑分区的闪存阵列可同时对多层闪存单元中的最高有效位和最低有效位编程，所述第二逻辑分区的闪存阵列只能对所述多层闪存单元中的最低有效位编程。
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