[发明专利]一种圆片级穿硅通孔TSV的制作方法无效
| 申请号： | 201210424949.5 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102903673A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 陈骁;罗乐;徐高卫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 圆片级穿硅通孔 tsv 制作方法 | ||
1.一种圆片级穿硅通孔TSV的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
1）提供一硅片；
2）在该硅片正反两面淀积第一氧化硅绝缘层；
3）在步骤2）形成的结构正反两面形成TSV图形，该TSV图形相互对应；
4）以光刻胶作为掩膜，湿法腐蚀部分第一氧化硅绝缘层以露出硅片；
5）将去除光刻胶后的硅片浸入腐蚀溶液中，通过对该硅片正反两面同时进行湿法腐蚀直至形成穿硅通孔TSV；
6）湿法腐蚀掉所述硅片正反两面的第一氧化硅绝缘层；
7）在硅片正反两面以及穿硅通孔TSV的侧壁淀积第二氧化硅绝缘层；
8）然后在淀积第二氧化硅绝缘层的硅片正反两面以及穿硅通孔TSV的侧壁沉积粘附/种子层；使得两个粘附/种子层接触实现穿硅通孔TSV导通；
9）对硅片的正反两面刻蚀部分粘附/种子层，露出所述第二氧化硅绝缘层；
10）分别在步骤9）后露出的第二氧化硅绝缘层上安装芯片，通过打线键合或倒装焊工艺双面互连。
2.根据权利要求1所述的圆片级穿硅通孔TSV的制作方法，其特征在于，所述步骤2）中的第一氧化硅绝缘层的厚度为1～2um。
3.根据权利要求1所述的圆片级穿硅通孔TSV的制作方法，其特征在于，所述步骤4）中的光刻胶厚度为1.2-1.7um。
4.根据权利要求1所述的圆片级穿硅通孔TSV的制作方法，其特征在于，所述步骤5）中的腐蚀溶液为KOH溶液，其温度为50oC，KOH浓度为40wt%。
5.根据权利要求1所述的圆片级穿硅通孔TSV的制作方法，其特征在于，所述步骤5）中形成的穿硅通孔TSV为上下两个方向相对称的倒梯形。
6.根据权利要求1所述的圆片级穿硅通孔TSV的制作方法，其特征在于，所述步骤7）中的第二氧化硅绝缘层的厚度为1～2um。
7.根据权利要求1所述的圆片级穿硅通孔TSV的制作方法，其特征在于，所述步骤8）中的粘附/种子层为TiW/Au，其中粘附层TiW厚度为100nm～200nm；种子层Au的厚度为200-300nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210424949.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型冲压模具
- 下一篇：一种电梯板状组件的翻钩模具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
