[发明专利]具有接地屏蔽结构的半导体器件

权利要求书

1.一种具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于衬底表面的接地环；

位于衬底表面、被接地环包围的接地屏蔽结构，其中，所述接地屏蔽结构包括：多个同轴的导电环及沿导电环的半径方向贯穿多个导电环的金属线，且金属线与接地环电连接；

位于所述接地屏蔽结构和电子器件之间的；

位于绝缘层上的电子器件。

2.根据权利要求1所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述接地屏蔽结构为单一覆层结构或者多层堆叠结构。

3.根据权利要求2所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，当所述接地屏蔽结构为单一覆层结构时，所述导电环为形成在衬底表面有源区层的有源区环、形成在衬底表面多晶硅层的多晶硅环或形成在衬底表面金属层的金属环。

4.根据权利要求2所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，当所述接地屏蔽结构为多层堆叠结构时，所述接地屏蔽结构包括：形成在衬底表面有源区层的有源区环和形成在有源区层表面的多晶硅层的多晶硅环。

5.根据权利要求2所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，当所述接地屏蔽结构为多层堆叠结构时，所述接地屏蔽结构包括：形成在衬底表面有源区层的有源区环和形成在有源区层表面的金属层的金属环。

6.根据权利要求2所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，当所述接地屏蔽结构为多层堆叠结构时，所述接地屏蔽结构包括：形成在衬底表面的多晶硅层的多晶硅环和形成在多晶硅层表面的金属层的金属环。

7.根据权利要求2所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，当所述接地屏蔽结构为多层堆叠结构时，所述接地屏蔽结构包括：形成在衬底表面的有源区层的有源区环、形成在有源区层上方的多晶硅层的多晶硅环和形成在多晶硅层表面的金属层的金属环。

8.根据权利要求3、5、6或7所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述金属环为一层或多层堆叠结构。

9.根据权利要求2所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，金属线贯穿单一覆层的导电环与接地环连接或金属线贯穿多层堆叠结构的最上层导电环与接地环连接。

10.根据权利要求1所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述导电环具有1~2个开口。

11.根据权利要求3、4、5、6或7所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述有源区环的材料为硅、锗、砷化镓或锗硅，所述金属环材料为铜或铝。

12.根据权利要求11所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述有源区环表面具有金属硅化物层。

13.根据权利要求2所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述接地屏蔽结构的单一覆层内或多层堆叠结构的每一层内具有2~100个同轴的导电环。

14.根据权利要求1所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述导电环的形状为三角形、正方形、圆形或者八边形，所述导电环的宽度为0.1微米~100微米。

15.根据权利要求1所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述电子器件为电感、变压器或巴伦。

16.根据权利要求1所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述电子器件在衬底的投影位于所述接地屏蔽结构在衬底的投影内。

17.根据权利要求1所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述衬底为硅衬底、锗衬底、绝缘体上硅衬底、碳化硅衬底、锗硅衬底、氮化镓衬底或玻璃衬底。

18.根据权利要求1所述的具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述衬底内具有与衬底掺杂类型相反的掺杂阱。