[发明专利]半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体电容，其包括:

下电极板，该下电极板包括电容井区及设置于该电容井区上的扩散区，该电容井区与该扩散区均具有第一导电型，且该扩散区的掺杂浓度高于该电容井区的掺杂浓度；

绝缘层，该绝缘层设置于该下电极板上；及

上电极板，该上电极板设置于该绝缘层上；

其特征在于：该电容井区包括第一子井区，该第一子井区至少为该电容井区的部分区域，该电容井区进一步包括第二子井区，该第一子井区的掺杂浓度大于该第二子井区的掺杂浓度；该第二子井区围绕该第一子井区设置；该下电极板包括二扩散区，每一扩散区与该第二子井区相接触，且该二扩散区通过该第一子井区相间隔；该第一子井区的掺杂浓度达到一预定掺杂浓度，以使得该半导体电容工作在积累区时的最大电容值与工作在反转区时的最小电容值之差值占该半导体电容工作在积累区时的最大电容值的百分比不超过70％。

2.如权利要求1所述的半导体电容，其特征在于：该上电极板包括多晶硅层。

3.如权利要求1所述的半导体电容，其特征在于：该第一子井区至少经过二次掺杂使该第一子井区具有该第一导电型的元素，以提高该第一子井区的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的半导体电容，其特征在于：该上电极板对应该第一子井区设置。

5.如权利要求1所述的半导体电容，其特征在于：该上电极板与该扩散区不重叠。

6.如权利要求5所述的半导体电容，其特征在于：该绝缘层的大小及形状与该上电极板的大小及形状对应相同。

7.如权利要求1所述的半导体电容，其特征在于：该扩散区对应设置于该第一子井区上。

8.如权利要求7所述的半导体电容，其特征在于：该上电极板包括开口，该开口对应该扩散区设置。

9.如权利要求8所述的半导体电容，其特征在于：该上电极板覆盖于该电容井区，且该扩散区曝露于该开口。

10.如权利要求9所述的半导体电容，其特征在于：该上电极板与该扩散区不重叠。

11.如权利要求10所述的半导体电容，其特征在于：该绝缘层的大小及形状与该上电极板的大小及形状对应相同。

12.如权利要求1所述的半导体电容，其特征在于：在沿平行于该半导体电容的堆叠方向，该第一子井区的长度较该第二子井区长度长。

13.如权利要求1所述的半导体电容，其特征在于：该第一子井区为该电容井区的全部区域。

14.如权利要求13所述的半导体电容，其特征在于：该电容井区的全部区域至少经过二次掺杂使该电容井区具有该第一导电型的元素，来提高该电容井区的掺杂浓度。

15.如权利要求1所述的半导体电容，其特征在于：该第一子井区的掺杂浓度达到该预定掺杂浓度，以使得该半导体电容工作在积累区时的最大电容值与工作在反转区时的最小电容值之差值占该半导体电容工作在积累区时的最大电容值的百分比不超过35％。

16.如权利要求15所述的半导体电容，其特征在于：该半导体电容的工作在积累区时的最大电容值与工作在反转区时的最小电容值之差值占该半导体电容工作在积累区时的最大电容值的百分比为30％。

17.一种半导体装置，其包括：

基底；

半导体电容，该半导体电容形成于该基底上；

其特征在于：该半导体电容为上述权利要求1-16中任意一项所述的半导体电容。