[发明专利]半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置

说明书

本发明涉及一种半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置。该半导体电容包括：下电极板，该下电极板包括电容井区及设置于该电容井区上的扩散区，该电容井区与该扩散区均具有第一导电型，且该扩散区的掺杂浓度高于该电容井区的掺杂浓度；绝缘层，该绝缘层设置于该下电极板上；及上电极板，该上电极板设置于该绝缘层上；其中，该电容井区包括第一子井区，该第一子井区至少为该电容井区的部分区域，该第一子井区的掺杂浓度达到一预定掺杂浓度，以使得该半导体电容的最大电容值与最小电容值之差值占该最大电容值的百分比不超过70%。该半导体电容以及具有该半导体电容的半导体装置的工作性能较好。

技术领域

本发明涉及一种半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置。

背景技术

目前，半导体装置，如液晶显示器的驱动芯片，通常集成有半导体电容。该半导体电容，如N井(N-WELL)电容或P井(P-WELL)电容等，一旦操作在耗尽区(depletion region)与反转区(inversion region)时，该半导体电容整体的电容值会大幅下降。从而，影响该半导体电容以及具有该半导体电容的半导体装置的工作性能的稳定性。

发明内容

为解决现有技术半导体电容工作在耗尽区与反转区时的电容值较不稳定的技术问题，有必要提供一种电容值比较稳定的半导体电容。

为解决现有技术半导体装置的半导体电容工作在耗尽区与反转区时的电容值较不稳定的技术问题，有必要提供一种具有上述半导体电容的半导体装置。

本发明提供一种半导体电容，其包括：下电极板，该下电极板包括电容井区及设置于该电容井区上的扩散区，该电容井区与该扩散区均具有第一导电型，且该扩散区的掺杂浓度高于该电容井区的掺杂浓度；绝缘层，该绝缘层设置于该下电极板上；及上电极板，该上电极板设置于该绝缘层上；其中，该电容井区包括第一子井区，该第一子井区至少为该电容井区的部分区域，该第一子井区的掺杂浓度达到一预定掺杂浓度，以使得该半导体电容的最大电容值与最小电容值之差值占该最大电容值的百分比不超过70％。

本发明提供一种半导体装置，其包括基底及形成于该基底上的半导体电容。该半导体电容包括：下电极板，该下电极板包括电容井区及设置于该电容井区上的扩散区，该电容井区与该扩散区均具有第一导电型，且该扩散区的掺杂浓度高于该电容井区的掺杂浓度；绝缘层，该绝缘层设置于该下电极板上；及上电极板，该上电极板设置于该绝缘层上；其中，该电容井区包括第一子井区，该第一子井区至少为该电容井区的部分区域，该第一子井区的掺杂浓度达到一预定掺杂浓度，以使得该半导体电容的最大电容值与最小电容值之差值占该最大电容值的百分比不超过70％。

由于该半导体电容的第一子井区的掺杂浓度达到该预定掺杂浓度，以使得该半导体电容的最大电容值与最小电容值之差值占该最大电容值的百分比不超过70％，从而当该半导体电容的上电极板与该下电极板被施加电压而工作于耗尽区与反转区时，其整体的电容值不会大幅下降，变化相对平稳。进而，该半导体电容以及具有该半导体电容的半导体装置的工作性能较稳定。

附图说明

图1为本发明半导体装置的第一实施方式的部分剖面结构示意图。

图2为图1所示半导体装置的俯视结构示意图。

图3为图1所示半导体装置的半导体电容的电压-电容曲线。

图4为本发明半导体装置的第二实施方式的部分剖面结构示意图。

图5为图4所示半导体装置的俯视结构示意图。

主要元件符号说明

半导体装置 1、2 基板 10

公共井区 12 半导体电容 14、24