[发明专利]一种低方阻晶体硅电池的扩散工艺

权利要求书

1.一种低方阻晶体硅电池的扩散工艺，所述工艺在扩散炉中实现，包括升温扩散步骤，其特征在于，所述升温扩散步骤分如下三步进行：

1）低温预扩散，在硅片表面沉积一层磷源；

2）升温扩散，促使硅片表面的磷成为活性元素并扩散到硅片内；

3）再次升温扩散，提高扩散掺杂深度。

2.如权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，

所述步骤1）设定的工艺参数如下：

炉内温度为800～820℃；扩散时间为650sec；小氮流量为720～880ml/m；大氮流量为20700～25300 ml/m；干氧流量为1080～1320ml/m；

所述步骤2）设定的工艺参数如下：

炉内温度为830～850℃，扩散时间为1000sec；小氮流量为1080～1320ml/m；大氮流量为20340～24860ml/m；干氧流量为1080～1320ml/m；

所述步骤3）设定的工艺参数如下：

炉内温度为845～865℃，扩散时间为400 sec ；小氮流量为900～1100 ml/m；大氮流量为20520～25080ml/m；干氧流量为1080～1320ml/m。

3.如权利要求2所述的扩散工艺，其特征在于，

所述步骤1）设定的工艺参数如下：

炉内温度为810℃；扩散时间为650sec；小氮流量为800ml/m；大氮流量为23000ml/m；干氧流量为1200 ml/m；

所述步骤2）设定的工艺参数如下：

炉内温度为840℃，扩散时间为1000sec；小氮流量为1200ml/m；大氮流量为22600ml/m；干氧流量为1200 ml/m；

所述步骤3）设定的工艺参数如下：

炉内温度为855℃，扩散时间为400 sec ；小氮流量为1000 ml/m；大氮流量为22800ml/m；干氧流量为1200 ml/m。

4.如权利要求1至3任一项所述的扩散工艺，其特征在于，所述低方阻为55～65Ω/□。

5.如权利要求1至3任一项所述的扩散工艺，其特征在于，所述晶体硅电池的硅片是P型多晶硅片或P型单晶硅片，硅片电阻率在1～3Ω·cm，厚度在180～200um。