[发明专利]非挥发性内存单元及非挥发性内存矩阵

权利要求书

1.一种非挥发性内存单元，其特征在于，所述非挥发性内存单元包含：

一基板，具有一上表面，所述上表面上形成一沟渠结构，所述沟渠结构具有一空间，及定义所述空间的一侧墙及一底部，且所述基板中设置一源极区及一漏极区；其中所述源极区位于所述沟渠结构之下；

一第一介电层，形成于所述基板的所述上表面之上，且位于所述漏极区与所述沟渠结构的所述侧墙之间；

一穿隧介电层，形成于所述沟渠结构的所述侧墙与所述底部之上；

一选择闸极区，形成于所述第一介电层之上；

一悬浮闸极区，形成于所述穿隧介电层的表面上，且所述悬浮闸极区的一部份位于所述沟渠结构的所述空间中；

一第二介电层，形成于所述悬浮闸极区的表面上；以及

一控制闸极区，形成于所述悬浮闸极区的表面上，且所述控制闸极区与所述悬浮闸极区以所述第二介电层相绝缘。

2.如权利要求1所述的非挥发性内存单元，其特征在于，所述源极是一浓淡渐次掺杂的结构。

3.如权利要求1所述的非挥发性内存单元，其特征在于，所述第一介电层的厚度介于10埃至100埃之间。

4.如权利要求1所述的非挥发性内存单元，其特征在于，所述沟渠结构的所述底部与所述基板的所述上表面的距离介于500埃至2000埃之间。

5.如权利要求1所述的非挥发性内存单元，其特征在于，所述穿隧介电层的厚度介于60埃至120埃之间。

6.如权利要求1所述的非挥发性内存单元，其特征在于，所述悬浮闸极区的厚度介于200埃至2000埃之间。

7.如权利要求1所述的非挥发性内存单元，其特征在于，所述第二介电层的厚度介于100埃至200埃之间。

8.一种非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述非挥发性内存单元的制造方法包含：

提供一基板，其中所述基板具有一上表面；

形成一第一介电层于所述基板的所述上表面之上；

形成一选择闸极区于所述第一介电层之上；

于所述基板的所述上表面上相邻于所述选择闸极区，形成一沟渠结构，其中所述沟渠结构具有一空间，及定义所述空间的一侧墙及一底部；

于所述沟渠结构下方的所述基板中，以掺杂方式形成一源极区；

于所述沟渠结构的所述侧墙及所述底部之上，形成一穿隧介电层；

于所述穿隧介电层之上，形成一悬浮闸极区；

于位于所述选择闸极区一侧的源极区中，形成一不同浓度且范围较小的掺杂区；并于位于所述选择闸极区的另一侧的所述基板中，形成另一掺杂区以作为一漏极区；

于所述悬浮闸极区之上，形成一第二介电层；

于所述第二介电层之上，形成一控制闸极区，且所述控制闸极区的一部份位于所述沟渠结构的所述空间中。

9.如权利要求8所述的非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述源极区是一浓淡渐次掺杂的结构。

10.如权利要求8所述的非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述第一介电层的厚度介于10埃至100埃之间。

11.如权利要求8所述的非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述沟渠结构的所述底部与所述基板的所述上表面的距离介于500埃至2000埃之间。

12.如权利要求8所述的非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述穿隧介电层的厚度介于60埃至120埃之间。

13.如权利要求8所述的非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述悬浮闸极区的厚度介于200埃至2000埃之间。

14.如权利要求8所述的非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述第二介电层的厚度介于100埃至200埃之间。