[发明专利]元件基板及其制造方法

权利要求书

1.一种元件基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

于该基板上形成一图案化结构，该图案化结构包括多个开口；

于该图案化结构上形成一保护层，其中该保护层不会填满该图案化结构的该些开口，以使该保护层与该图案化结构之间具有未填满的间隙；以及

于该保护层上形成一元件层。

2.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该图案化结构的该些开口的深宽比大于1。

3.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，形成该保护层的方法包括等离子辅助化学气相沉积法，且该等离子辅助化学气相沉积法的工艺参数包括气体流量为200sccm至1000sccm、射频功率为2000瓦特至4000瓦特以及沉积温度介于摄氏170度至400度。

4.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，形成该图案化结构的方法包括：

对该基板进行一图案化工艺，以使该基板的一表面具有该图案化结构。

5.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，形成该图案化结构的方法包括：

于该基板上形成一材料层；以及

对该材料层进行一图案化工艺，以使该材料层具有该图案化结构。

6.根据权利要求5所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该图案化结构包括一有机材料，且该保护层包括一无机材料。

7.根据权利要求6所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该有机材料的热膨胀系数值介于3ppm/°C至40ppm/°C。

8.根据权利要求5所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该图案化结构包括一无机材料，且该保护层包括一有机材料。

9.根据权利要求8所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该有机材料的热膨胀系数值介于3ppm/°C至40ppm/°C。

10.根据权利要求5所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该图案化结构以及该保护层构成一迭层结构，且于形成该元件层之前更包括进行至少一迭层结构制造程序，以于该基板与该元件层之间形成多个迭层结构。

11.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该元件层包括薄膜晶体管层、有机发光二极管层、光伏打太阳电池层或主动阵列有机发光二极管层。

12.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该图案化结构的该些开口包括沟渠式开口、蜂巢状开口或孔洞开口。

13.一种元件基板，其特征在于，包括：

一基板；

一图案化结构，位于该基板上，其中该图案化结构具有多个开口；

一保护层，位于该图案化结构上，其中该保护层不会填满该图案化结构的该些开口，以使该保护层与该图案化结构之间具有未填满的间隙；以及

一元件层，位于该保护层上。

14.根据权利要求13所述的元件基板，其特征在于，该图案化结构的该些开口的深宽比大于1。

15.根据权利要求13所述的元件基板，其特征在于，该图案化结构与该基板的材质相同。

16.根据权利要求13所述的元件基板，其特征在于，该图案化结构与该基板的材质不相同，且该图案化结构包括一有机材料，该保护层包括一无机材料。

17.根据权利要求13所述的元件基板，其特征在于，该图案化结构与该基板的材质不相同，且该图案化结构包括一无机材料，该保护层包括一有机材料。

18.根据权利要求17所述的元件基板，其特征在于，该有机材料的热膨胀系数值介于3ppm/°C至40ppm/°C。

19.根据权利要求13所述的元件基板，其特征在于，该图案化结构以及该保护层构成一迭层结构，且该基板与该元件层之间具有多个迭层结构。

20.根据权利要求13所述的元件基板，其特征在于，该元件层包括薄膜晶体管层、有机发光二极管层、光伏打太阳电池层或主动阵列有机发光二极管层。

21.根据权利要求13所述的元件基板，其特征在于，该图案化结构的该些开口包括沟渠式开口、蜂巢状开口或孔洞开口。