[发明专利]元件基板及其制造方法有效
申请号: | 201210431820.7 | 申请日: | 2012-11-01 |
公开(公告)号: | CN102969251A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 王铮亮;洪仕馨;胡克龙 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/13 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种基板及其制造方法,且特别是有关于一种元件基板及其制造方法。
背景技术
为了具备可挠性的特质,现今软性显示元件多以塑料基板或高分子基板等软性基板取代玻璃基板。由于软性基板耐化性不佳,容易在蚀刻过程中被损害,因此通常需要额外置入介电保护层(protection layer)以避免元件损害,其中介电保护层可以是氧化硅、氧化铝或氮化硅等无机材料介电层。
除了保护软性基板的功能外,这些无机材料介电层也具有可阻挡水气以及氧气的功能。举例而言,当后续应用的元件为光伏打太阳能电池(photovoltaiccell)或是有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)时,由于这些元件需要较高的阻水阻气效果,因此目前是以多层介电保护层的堆栈结构来实现。
若以片对片(sheet to sheet)的方式在软性基板上以薄膜工艺制作元件,通常会存在残留应力的现象。一般而言,生长在软性基板上的介电保护层的残留应力可以分为本质应力(intrinsic stress)与热应力(thermal stress)两部分,其中本质应力又分成压应力(compressive stress)以及拉伸应力(tensile stress)。无论是压应力或拉伸应力,当软性基板从玻璃载片取下后皆可能导致软性基板弯曲变形,而增加了后续元件断线或是黄光工艺错位(misalignment)的风险。
发明内容
本发明提供一种元件基板,其可以减缓应力的影响并提供良好的阻水阻氧特性。
本发明提供一种元件基板的制造方法,其可以制造出具有良好阻水阻氧特性的元件基板。
本发明提出一种元件基板的制造方法,其包括以下步骤。首先,提供基板并于基板上形成图案化结构,其中图案化结构包括多个开口。之后,于图案化结构上形成保护层,其中保护层不会填满图案化结构的这些开口,以使保护层与图案化结构之间具有未填满的间隙。随后,于保护层上形成元件层。
其中,该图案化结构的该些开口的深宽比大于1。
其中,形成该保护层的方法包括等离子辅助化学气相沉积法,且该等离子辅助化学气相沉积法的工艺参数包括气体流量为200sccm至1000sccm、射频功率为2000瓦特至4000瓦特以及沉积温度介于摄氏170度至400度。
其中,形成该图案化结构的方法包括:
对该基板进行一图案化工艺,以使该基板的一表面具有该图案化结构。
其中,形成该图案化结构的方法包括:于该基板上形成一材料层;以及对该材料层进行一图案化工艺,以使该材料层具有该图案化结构。
其中,该图案化结构包括一有机材料,且该保护层包括一无机材料。
其中,该有机材料的热膨胀系数值介于3ppm/°C至40ppm/°C。
其中,该图案化结构包括一无机材料,且该保护层包括一有机材料。
其中,该有机材料的热膨胀系数值介于3ppm/°C至40ppm/°C。
其中,该图案化结构以及该保护层构成一迭层结构,且于形成该元件层之前更包括进行至少一迭层结构制造程序,以于该基板与该元件层之间形成多个迭层结构。
其中,该元件层包括薄膜晶体管层、有机发光二极管层、光伏打太阳电池层或主动阵列有机发光二极管层。
其中,该图案化结构的该些开口包括沟渠式开口、蜂巢状开口或孔洞开口。
本发明提出一种元件基板,其包括基板、图案化结构、保护层以及元件层。图案化结构位于基板上,其中图案化结构具有多个开口。保护层位于图案化结构上,其中保护层不会填满图案化结构的这些开口,以使保护层与图案化结构之间具有未填满的间隙。元件层位于保护层上。
其中,该图案化结构的该些开口的深宽比大于1。
其中,该图案化结构与该基板的材质相同。
其中,该图案化结构与该基板的材质不相同,且该图案化结构包括一有机材料,该保护层包括一无机材料。
其中,该图案化结构与该基板的材质不相同,且该图案化结构包括一无机材料,该保护层包括一有机材料。
其中,该有机材料的热膨胀系数值介于3ppm/°C至40ppm/°C。
其中,该图案化结构以及该保护层构成一迭层结构,且该基板与该元件层之间具有多个迭层结构。
其中,该元件层包括薄膜晶体管层、有机发光二极管层、光伏打太阳电池层或主动阵列有机发光二极管层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造