[发明专利]半导体组件及其制法

权利要求书

1.一种半导体组件，其特征在于，其包括：

透明基板；

叠层结构，其形成于该透明基板上，该叠层结构包括依序形成于该透明基板上的金属氧化物层、胶层及半导体层，且该叠层结构具有多个沟槽，以令该金属氧化物层外露于该沟槽的槽壁；

多个导脚，其间隔形成于该叠层结构的顶面上并延伸至该沟槽的槽壁上；

绝缘膜，其覆盖于外露的该金属氧化物层上；

金属膜，其形成于各该导脚上；以及

拒焊层，其形成于该金属膜、该叠层结构的顶面与该绝缘膜上及该沟槽中，且该叠层结构的顶面的金属膜上的拒焊层形成有多个开孔，以外露各该导脚上的金属膜的部分。

2.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，各该导脚延伸至该金属氧化物层上，且该绝缘膜形成在外露于该导脚和该沟槽的槽壁的金属氧化物层上。

3.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，各该导脚延伸至该金属氧化物层之上，且该绝缘膜还形成于该导脚与该金属氧化物层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，该透明基板具有凹槽，对应衔接该沟槽的底端缘。

5.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，该叠层结构还包括光阻层，且该胶层上方的槽壁由该光阻层所构成，以包覆该半导体层。

6.一种半导体组件，其特征在于，其包括：

透明基板；

叠层结构，其形成于该透明基板上，该叠层结构包括依序形成于该透明基板上的金属氧化物层、胶层及半导体层，且该金属氧化物层外露于该叠层结构的侧壁；

多个导脚，其间隔形成于该叠层结构的顶面上并延伸至该侧壁上；

绝缘膜，其覆盖于外露的该金属氧化物层表面上；

金属膜，其形成于各该导脚上；以及

拒焊层，其形成于该金属膜、该叠层结构的顶面和侧壁及该绝缘膜上，且该叠层结构的顶面的金属膜上的拒焊层形成有多个开孔，以外露各该导脚上的金属膜的部分。

7.根据权利要求6所述的半导体组件，其特征在于，各该导脚延伸至该金属氧化物层上，且该绝缘膜形成在外露于该导脚和该叠层结构的侧壁的金属氧化物层上。

8.根据权利要求6所述的半导体组件，其特征在于，各该导脚延伸至该侧壁外露的金属氧化物层之上，且该绝缘膜还形成于该导脚与该金属氧化物层之间。

9.根据权利要求6所述的半导体组件，其特征在于，该叠层结构还包括光阻层，且该胶层上方的侧壁由该光阻层所构成，以包覆该半导体层。

10.一种半导体组件的制法，其特征在于，其包括：

提供一透明基板及形成于该透明基板上的叠层结构，该叠层结构包括依序形成于该透明基板上的金属氧化物层、胶层及半导体层，且该叠层结构具有多个沟槽，以令该金属氧化物层外露于该沟槽的槽壁；

于该叠层结构及其沟槽表面上形成导体层；

图案化该导体层，以形成多个导脚，且外露出部分该叠层结构的表面及部分槽壁；

于该外露的槽壁的金属氧化物层上覆盖绝缘膜；

于各该导脚上形成金属膜；以及

于该金属膜、外露的该叠层结构的顶面与该绝缘膜上及该沟槽中形成拒焊层，且该叠层结构的顶面的金属膜上的拒焊层形成有多个开孔，以外露各该导脚上的金属膜的部分。

11.根据权利要求10所述的半导体组件的制法，其特征在于，各该导脚延伸至该金属氧化物层上，且该绝缘膜形成在外露于该导脚和侧壁的金属氧化物层上。

12.根据权利要求10所述的半导体组件的制法，其特征在于，该透明基板具有凹槽，对应衔接该沟槽的底端缘。

13.根据权利要求10所述的半导体组件的制法，其特征在于，该叠层结构还包括光阻层，且该胶层上方的槽壁由该光阻层所构成，以包覆该半导体层。