[发明专利]半导体组件及其制法

说明书

技术领域

本发明有关一种半导体组件及其制法，尤指一种应用于光学产品的半导体组件及其制法。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品的功能需求随之增加，而为满足多功能的使用需求，部分电子产品中的半导体组件须具备光学特性。这种半导体组件的一制作方法，是于一透明基板上接合一布有线路的晶圆，最后切割该晶圆及透明基板，以得到多个芯片，而该芯片的一侧表面上即具有供光幅射穿透的透明介质。

如图3所示，前述的半导体组件的制法包括提供一透明基板30及形成于该透明基板30上的硅基材31，该硅基材31通过一胶层32粘合于该透明基板30上，而于较佳的组件制程中，该透明基板30上还形成有一金属氧化物层33以过滤光辐射的噪声。此外，该硅基材31表面形成有多条深度达到足以外露该透明基板30的沟槽310，该沟槽310的槽壁还外露部分金属氧化物层33。在后续的制程中，该硅基材31表面形成有多条导脚34，各该导脚34延伸至沟槽310的槽壁上，其中，各该导脚34上覆盖有如镍/金合金的金属膜，其于形成导脚34后形成，并于覆盖拒焊层(未图标)之后得到半导体组件。

然而，该半导体组件的制程良率仍存在无法提升的问题，本发明发现制程良率不佳的问题来自于金属氧化物层33会于制程中生长或吸附类金属物质36，导致相邻导脚产生短路。因此，如何克服上述现有技术中的问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

为克服上述现有技术的问题，本发明的主要目的在于提供一种半导体组件及其制法，通过绝缘膜避免相邻导脚产生短路现象。

本发明的半导体组件的制法，其包括：提供一透明基板及形成于该透明基板上的叠层结构，该叠层结构包括依序形成于该透明基板上的金属氧化物层、胶层及半导体层，且该叠层结构具有多个沟槽，以令该金属氧化物层外露于该沟槽的槽壁；于该叠层结构及其沟槽表面上形成导体层；图案化该导体层，以形成多个导脚，且外露出部分该叠层结构表面及部分槽壁；于该外露的槽壁的金属氧化物层上覆盖绝缘膜；于各该导脚上形成金属膜；以及于该金属膜、外露的叠层结构顶面、绝缘膜上及沟槽中形成拒焊层，且该叠层结构顶面的金属膜上的拒焊层形成有多个开孔，以外露各该导脚上的金属膜的部分。

根据本发明的制法，本发明还提供一种半导体组件，其包括：一种半导体组件，其包括：透明基板；形成于该透明基板上的叠层结构，该叠层结构包括依序形成于该透明基板上的金属氧化物层、胶层及半导体层，且该叠层结构具有多个沟槽，以令该金属氧化物层外露于该沟槽的槽壁；多个导脚，其间隔形成于该叠层结构的顶面上并延伸至该沟槽的槽壁上；绝缘膜，其覆盖于外露的该金属氧化物层上；形成于各该导脚上的金属膜；以及拒焊层，其形成于该金属膜、叠层结构顶面、绝缘膜上及沟槽中，且该叠层结构顶面的金属膜上的拒焊层形成有多个开孔，以外露各该导脚上的金属膜的部分。

本发明还提供一种半导体组件的制法，其差异在于形成导体层之前，于该沟槽槽壁所外露的金属氧化物层表面上覆盖绝缘膜，之后再制作导脚。

此外，本发明还提供一种半导体组件，其与前述半导体组件的差异在于该沟槽槽壁所外露的金属氧化物层上皆形成有绝缘膜。

于另一实施例中，本发明还提供切割前述半导体组件所得到的经分离的半导体组件。

本发明半导体组件及其制法，主要于形成导脚上的金属膜之前，通过绝缘膜覆盖在沟槽槽壁外露的金属氧化物层上，以避免在后续制程中，如形成导脚上的金属膜时，外露的金属氧化物层成长或吸附类金属物质，导致相邻导脚产生短路现象，以大幅提升制程良率。

附图说明

图1A至图1F为本发明半导体组件的制法的第一实施例的示意图，其中，图1D为沿图1C的1C-1C剖面线的剖视图，图1E为显示在沿图1C的1C’-1C’剖面线的剖视结构的制程步骤示意图；

图2A至图2F为本发明半导体组件的制法的第二实施例的剖面示意图；以及

图3为现有半导体组件的制法示意图。

附图中符号的简单说明如下：

10：透明基板；100：凹槽；11：叠层结构；110：金属氧化物层；111：沟槽；112：胶层；114：半导体层；116：光阻层；12,12’：导体层；13,13’：导脚；14,14’：绝缘膜；15,15’：金属膜；16,16’：拒焊层；160,160’：开孔；30：透明基板；31：硅基材；32：胶层；33：金属氧化物层；310：沟槽；34：导脚；36：类金属物质。

具体实施方式