[发明专利]生长蓝宝石晶体用高纯氧化铝多晶料块的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210434180.5 申请日: 2012-11-05
公开(公告)号: CN102942201A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 杨秋红;陆神洲;张浩佳 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C01F7/46 分类号: C01F7/46
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 生长 蓝宝石 晶体 高纯 氧化铝 多晶 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种生长蓝宝石晶体用高纯氧化铝多晶料块的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

a. 采用醇铝法生产的商业高纯5N(99.999%) a-Al2O3粉料为起始原料,装填在自制的不同直径大小的桶状的橡胶模具内,经密封,在等静压仪中,压力为100~200 Mpa下保压1~5分钟进行冷等静压压制成形;经脱模,得到圆柱状素坯;

b. 将圆柱状素坯在空气、真空或氮气的环境下进行烧结,烧结温度范围为1550~1750℃,烧结时间为2~5小时,获得相对密度大于90%,密度大于3.6g/cm3的a-Al2O3多晶块料。

2.根据权利要求1所述的生长蓝宝石晶体用高纯氧化铝多晶料块的制备方法,其特征在于:在a-Al2O3多晶料块的整个制备生产过程中,不添加除了高纯a-Al2O3粉料原料之外的任何原料、分散剂或其他辅助材料,整个制备生产过程不与除高纯铝单一金属材料外的任何金属制品接触。

3.根据权利要求1或2所述的生长蓝宝石晶体用高纯氧化铝多晶料块的制备方法,其特征在于:在步骤b中能制备得到直径不小于100 mm的a-Al2O3多晶块料。

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