[发明专利]后栅工艺中器件隔离方法

权利要求书

1.一种后栅工艺中器件隔离方法，包括：

在栅极沟槽中以及层间介质层上形成栅极堆叠层;

在对应于栅极沟槽处的栅极堆叠层上方形成掩模图案;

以掩模图案为掩模，刻蚀栅极堆叠层直至暴露层间介质层的上表面，形成栅极堆叠结构;

在层间介质层以及栅极堆叠结构上形成第二层间介质层，刻蚀第二层间介质层形成多个接触孔，暴露栅极堆叠结构。

2.如权利要求1的方法，其中，栅极堆叠层包括栅极介质层、栅极功函数调节层、以及栅极电阻调节层。

3.如权利要求2的方法，其中，栅极介质层为高k材料，栅极功函数调节层包括TiN、TaN、TiAl，栅极电阻调节层包括W、Ti、Ta、Mo、Cu、Al及其组合。

4.如权利要求2的方法，其中，形成栅极堆叠层之前还包括在栅极沟槽中形成垫氧化层。

5.如权利要求1的方法，其中，掩模图案由光刻胶和/或硬掩模层构成。

6.如权利要求5的方法，其中，硬掩模层材质与层间介质层材质相同。

7.如权利要求1的方法，其中，形成栅极堆叠层之前还包括在栅极沟槽两侧衬底中形成源漏区，刻蚀形成的接触孔也暴露源漏区。

8.如权利要求1的方法，其中，第二层间介质层与层间介质层材质不同。

9.如权利要求1的方法，其中，掩模图案的宽度大于栅极沟槽的宽度。